[发明专利]三维架构非依电性存储器的控制器装置与操作方法

权利要求书

1.一种三维架构非依电性存储器的控制器装置，包括：

错误检查和纠正电路；以及

控制器，耦接至该三维架构非依电性存储器与该错误检查和纠正电路，用以依照物理地址存取该三维架构非依电性存储器的目标字线，其中该控制器将该三维架构非依电性存储器的多个字线分群为多个字线群，不同字线群具有不同的码字结构，该控制器依据该目标字线所属字线群的码字结构来控制该错误检查和纠正电路，该错误检查和纠正电路依据该控制器的控制而产生码字用以存放于该目标字线，或依据该控制器的控制而检查来自该目标字线的码字，

其中该控制器是依照这些字线的错误位计数量来将这些字线动态分群为这些字线群，具有较多错误位计数量的字线群的校验位长度大于具有较少错误位计数量的字线群的校验位长度，并且

其中该控制器在背景运作中进行所述这些字线的动态分群并更新查找表。

2.如权利要求1所述的控制器装置，还包括：

查找表，耦接至该控制器，用以记录该三维架构非依电性存储器的这些字线、这些字线群与这些码字结构的对应关系。

3.如权利要求2所述的控制器装置，其中该控制器是依照该查找表来将这些字线分群为这些字线群，其中不同字线群的码字结构具有不同的校验位长度。

4.如权利要求1所述的控制器装置，其中在这些字线群的一个中，这些字线为彼此相邻。

5.如权利要求1所述的控制器装置，其中该控制器是依照这些字线在该三维架构非依电性存储器中的层数来将这些字线静态分群为这些字线群，在该三维架构非依电性存储器中较低层的字线群的校验位长度大于在该三维架构非依电性存储器中较高层的字线群的校验位长度。

6.如权利要求1所述的控制器装置，其中该控制器是依照这些字线在该三维架构非依电性存储器中的层数来将这些字线静态分群为这些字线群，在该三维架构非依电性存储器中较低层的字线群的校验位长度小于在该三维架构非依电性存储器中较高层的字线群的校验位长度。

7.如权利要求1所述的控制器装置，其中该控制器是依照这些字线距离供电源的远近来将这些字线静态分群为这些字线群，该控制器对这些字线群中靠近该供电源的字线群配置具有较小校验位长度的码字结构，以及该控制器对这些字线群中远离该供电源的字线群配置具有较大校验位长度的码字结构。

8.如权利要求1所述的控制器装置，其中在这些字线群的一个中，这些字线为彼此不完全相邻。

9.如权利要求1所述的控制器装置，其中不同字线群的码字结构具有相同的码字长度，且不同字线群的码字结构具有不同的校验位长度。

10.如权利要求1所述的控制器装置，其中不同字线群的码字结构具有相同的数据位长度，且不同字线群的码字结构具有不同的校验位长度。

11.如权利要求1所述的控制器装置，其中不同字线群的码字结构具有不同的码字长度，不同字线群的码字结构具有不同的数据位长度，且不同字线群的码字结构具有不同的校验位长度。

12.如权利要求1所述的控制器装置，其中不同字线群的码字结构具有不同的码字长度，不同字线群的码字结构具有不同的数据位长度，且不同字线群的码字结构具有相同的校验位长度。