[发明专利]一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构有效
申请号: | 201611206019.7 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106787243B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 高键鑫;吴旭升;汪小娜;高嵬 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军海军工程大学 |
主分类号: | H02J50/12 | 分类号: | H02J50/12;H02J3/01 |
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地址: | 430033 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基波 电流 补偿 谐波 lccl 谐振 结构 | ||
1.一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构,其特征在于该谐振结构包括:谐振电感(110),ICPT系统电能发射端线圈(111),并联谐振电容(211),串联谐振电容(210),所述的ICPT系统电能发射端线圈(111)与所述的串联谐振电容(210)串联之后,再与所述的并联谐振电容(211)并联之后,最后与所述的谐振电感串联(110),该结构对应的等效电路为:电感L‘2、电容C’2、ICPT系统电能发射端线圈交流电阻R‘l、ICPT系统电能接收端反射阻抗Z’f形成串联支路后,再与电容C‘1形成并联支路,最后与电感L’1形成串联支路,相应地,Rl为R‘l的电阻值,Zf为Z’f的反射阻抗值,C1表示电容C‘1的电容容值,C2表示电容C’2的电容容值,L1表示电感L’1的电感值,L2表示电感L‘2的电感值,并且满足:
所述的谐振电感(110)与所述的串联谐振电容(210)在角频率ω0处形成谐振,即
反射阻抗值Zf可分解为电抗分量Xf和电阻分量Rf,在ICPT系统电能接收端侧进行阻抗变换消除其电抗分量Xf,只保留其电阻分量Rf;
C2的值大于且小于
2.根据权利要求1所述的一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构,其特征在于:L1、L2、C1、C2满足条件:
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