[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法

权利要求书

1.一种溅射靶材的制造方法，包括如下工序：

通过混合InO_x原料、MO_Y原料及ZnO_Z原料形成混合材料，其中M为Ga、Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和 Lu中的一种；

通过对所述混合材料进行第一烘焙然后将所述混合材料粉碎来形成In-M-Zn-O化合物粉末；

将所述In-M-Zn-O化合物粉末的一部分摊铺到模具中；

通过对摊铺到所述模具中的所述In-M-Zn-O化合物粉末的所述一部分进行第二烘焙及第一加压处理来形成化合物膜；

将所述In-M-Zn-O化合物粉末的另一部分摊铺到所述模具中的所述化合物膜上；以及

对所述模具中的所述In-M-Zn-O化合物粉末的所述另一部分以及所述化合物膜进行第三烘焙及第二加压处理，

其中先在第一气氛中然后在第二气氛中进行所述第一烘焙，所述第一气氛为惰性气氛或减压气氛，并且所述第二气氛为氧化气氛。

2.一种溅射靶材的制造方法，包括如下工序：

通过混合InO_x原料、MO_Y原料及ZnO_Z原料形成混合材料，其中M为Ga、Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和 Lu中的一种；

通过对所述混合材料进行第一烘焙然后将所述混合材料粉碎来形成In-M-Zn-O化合物粉末；

将所述In-M-Zn-O化合物粉末的一部分摊铺到模具中；

通过对摊铺到所述模具中的所述In-M-Zn-O化合物粉末的所述一部分进行第二烘焙及第一加压处理来形成化合物膜；

将所述In-M-Zn-O化合物粉末的另一部分摊铺到所述模具中的所述化合物膜上；以及

对所述模具中的所述In-M-Zn-O化合物粉末的所述另一部分以及所述化合物膜进行第三烘焙及第二加压处理，

其中先在第一气氛中然后在第二气氛中进行所述第二烘焙，所述第一气氛为惰性气氛或减压气氛，并且所述第二气氛为氧化气氛。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材的制造方法，其中将所述In-M-Zn-O化合物粉末与水、分散剂及粘合剂混合，并且将所述In-M-Zn-O化合物粉末作为浆料摊铺到所述模具中。

4.根据权利要求1或2所述的溅射靶材的制造方法，其中所述InO_x原料、所述MO_Y原料及所述ZnO_Z原料以预定比率混合，所述预定比率以摩尔数比计为2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3和3:1:2中的一个，并且M为Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种。

5.根据权利要求1或2所述的溅射靶材的制造方法，其中所述InO_x原料、所述MO_Y原料及所述ZnO_Z原料以预定比率混合，所述预定比率以摩尔数比计为2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3和3:1:2中的一个，并且M为Ga。

6.一种薄膜的形成方法，包括：

使离子碰撞包括具有a-b面的结晶区域的溅射靶材的第一工序；

通过所述碰撞使所述结晶区域沿着所述a-b面裂开的第二工序，由此使溅射粒子从所述溅射靶材剥离，所述溅射粒子的表面相当于所述结晶区域的所述a-b面；以及

在衬底上积累通过所述第一工序及所述第二工序获得的剥离的溅射粒子的第三工序，

其中所述薄膜的结晶区域具有平行于所述衬底的上表面的法向矢量的c轴。

7.根据权利要求6所述的薄膜的形成方法，其中所述衬底温度为100℃以上且600℃以下。

8.根据权利要求6所述的薄膜的形成方法，其中所述溅射靶材包括含有In、Ga及Zn的氧化物半导体。