[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201611206313.8 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108242393B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 李飞;刘尧;陈福成 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/02
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

提供器件晶圆,所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面;

对所述器件晶圆的边缘部分进行处理,以形成可使胶黏剂易脱落的表面,以减少所述胶黏剂对所述器件晶圆的边缘部分的粘结力;

提供支撑晶圆,通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合;

对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺;

进行解键合,使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离;其中,所述胶黏剂为疏水性胶黏剂,对所述器件晶圆的边缘部分进行亲水性处理。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对器件晶圆的边缘部分进行处理包括在所述器件晶圆的边缘部分涂覆或沉积一层材料层,所述材料层为亲水性材料层。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对器件晶圆的边缘部分进行处理包括使用溶液浸泡所述器件晶圆的边缘部分以形成亲水性表面。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述背面处理工艺包括减薄工艺。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述减薄工艺采用研磨工艺。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在键合之前在所述支撑晶圆待键合的表面涂覆一层释放层的步骤。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括在解键合之前对所述释放层进行处理释放所述释放层的步骤。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述支撑晶圆采用玻璃,所述释放层为光-热转化膜层,所述释放所述释放层的步骤采用激光处理。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述解键合步骤包括:

移除所述支撑晶圆;

在所述器件晶圆正面布置去胶胶带;

移除所述器件晶圆正面的所述去胶胶带,同时去除所述器件晶圆表面的胶黏剂。

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