[发明专利]一种近红外光敏晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外光敏晶体管，包括依次设置的单晶硅基底、二氧化硅层、石墨烯层和相对设置的电极对，所述电极对间设置有硒化铅量子点层；所述硒化铅量子点层的厚度为5～30nm；硒化铅量子点的粒径为5～7nm；所述硒化铅量子点为以碘化铵为配体的硒化铅量子点；所述碘化铵与硒化铅量子点的质量比为40～50:50～60。

2.根据权利要求1所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述石墨烯层的材质为单层石墨烯。

3.根据权利要求1或2所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为0.2～0.5nm。

4.根据权利要求1所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述电极对的厚度独立为60～80nm。

5.根据权利要求1或4所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述电极对的材质为金、银或铝。

6.根据权利要求1所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为280～320nm。

7.根据权利要求1所述的近红外光敏晶体管，其特征在于，所述单晶硅基底的厚度为180～220μm。

8.权利要求1～7任意一项所述近红外光敏晶体管的制备方法，包括以下步骤：

(1)将单晶硅基底表面的二氧化硅层进行刻蚀，得到单晶硅-二氧化硅复合材料；

(2)将石墨烯平铺于所述步骤(1)得到的单晶硅-二氧化硅复合材料中二氧化硅层的表面，得到单晶硅-二氧化硅-石墨烯复合材料；

(3)在所述步骤(2)得到的单晶硅-二氧化硅-石墨烯复合材料中石墨烯层的表面蒸镀电极对，得到石墨烯晶体管；

(4)在所述步骤(3)得到的石墨烯晶体管的电极对间的石墨烯层表面涂覆硒化铅量子点，得到近红外光敏晶体管。