[发明专利]一种有机电极阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电极阻变存储器，其特征在于，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极、Zr_0.5Hf_0.5O₂阻变转换层和Ag电极层。

2.根据权利要求1所述的有机电极阻变存储器，其特征在于，所述PCBM有机电极的厚度为10~300nm。

3.根据权利要求1所述的有机电极阻变存储器，其特征在于，所述Zr_0.5Hf_0.5O₂阻变转换层的厚度为3~50nm。

4.根据权利要求1所述的有机电极阻变存储器，其特征在于，所述Ag电极层的厚度为50~200nm。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的有机电极阻变存储器，其特征在于，所述衬底为FTO衬底或玻璃衬底。

6.一种有机电极阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）将衬底依次在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗，取出后用N₂吹干；

（b）将干燥洁净的衬底置于台式甩胶机的托盘上，打开真空泵使衬底吸附固定在托盘上，抽取PCBM溶液滴加到衬底上，设置甩胶机运转转速、加速度以及时间，在氮气氛围下，使PCBM溶液均匀旋涂在所述衬底上，再将涂覆有PCBM溶液的衬底置于真空干燥箱中退火，在所述衬底上形成了PCBM有机电极；

（c）将形成有PCBM有机电极的衬底固定到磁控溅射设备的衬底台上，并将腔体抽真空至1×10^-4~6×10^-4Pa，向腔体内通入流量为20~75sccm的Ar和10~40sccm的O₂，调整腔体内的压强维持在1~6Pa，打开控制Zr_0.5Hf_0.5O₂靶材起辉的射频源，调整射频源功率为60~100W，使Zr_0.5Hf_0.5O₂靶材起辉，预溅射5~10min；之后正式溅射50~70min，在PCBM有机电极上形成了Zr_0.5Hf_0.5O₂阻变转换层；

（d）在形成Zr_0.5Hf_0.5O₂阻变转换层的衬底上放置掩膜版，将腔体抽真空至1×10^-4~4×10^-4Pa，向腔体内通入流量为20~30sccm的Ar，调整腔体内的压强维持在1~6Pa，打开控制银靶材起辉的直流源，调整直流源功率为8~11W，使银靶材起辉，预溅射4~6min；之后正式溅射6~10min，在Zr_0.5Hf_0.5O₂阻变转换层上形成Ag电极层。

7.根据权利要求6所述的有机电极阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（a）所述的衬底为FTO衬底或玻璃衬底。

8.根据权利要求6所述的有机电极阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（b）所述的PCBM溶液是按质量体积比为10mg : 1mL将PCBM溶于氯仿中、混匀、微滤后的溶液。

9.根据权利要求6所述的有机电极阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（b）所述设置甩胶机运转的转速为5000r/min、加速度为500r/s²、时间为60s。

10.根据权利要求6所述的有机电极阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（b）所述的退火是指在50℃的环境下真空退火10 min。