[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611206826.9 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN107887406B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 丁得洙;赵镛善;洪荣垠;金成洙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置可包括:具有有效区域和焊盘区域的基板;位于所述基板的有效区域上的阳极电极;在所述阳极电极上的用于限定像素区域的堤层;位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层;位于所述有机发光层上的阴极电极;位于所述堤层下方并且与所述阳极电极分隔开的屋檐结构;和位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极,其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间,并且延伸的阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年9月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0127076的权益,通过引用将该专利申请结合在此,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种有机发光显示装置,尤其涉及一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有低功耗、快速响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。
根据从有机发光装置发射的光的方向,OLED装置可大体上分为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型的情形中,在发光层与图像显示表面之间设置有电路装置,由此由于电路装置,可降低开口率。同时,在顶部发光型的情形中,在发光层与图像显示表面之间没有设置电路装置,由此可提高开口率。
图1是相关技术的顶部发光型OLED装置的剖面图。
如图1中所示,包括有源层11、栅极绝缘膜12、栅极电极13、层间绝缘层14、源极电极15和漏极电极16的薄膜晶体管层T设置在基板10上,然后钝化层20和平坦化层30按顺序设置在薄膜晶体管层T上。
此外,阳极电极40和辅助电极50设置在平坦化层30上。设置辅助电极50是用来降低稍后将描述的阴极电极80的电阻。
在阳极电极40和辅助电极50上设置堤部60,以限定像素区域。此外,有机发光层70设置在由堤部60限定的像素区域中,并且阴极电极80设置在有机发光层70上。
在顶部发光型的情形中,从有机发光层70发射的光穿过阴极电极80。在这种情形中,阴极电极80由透明导电材料形成,这导致其电阻的增加。为了降低阴极电极80中的电阻,阴极电极80与辅助电极50连接。
为了将阴极电极80与辅助电极50连接,辅助电极50的上表面不被有机发光层70覆盖。就是说,在形成有机发光层70的工艺之后辅助电极50的上表面暴露到外部,以使阴极电极80与辅助电极50的上表面连接。在相关技术的情形中,在辅助电极50的上表面上设置倒锥形分隔部65,从而防止辅助电极50的上表面被有机发光层70覆盖。
由于倒锥形分隔部65,在堤部60与分隔部65之间提供了间隙空间。在这种情形中,倒锥形分隔部65充当屋檐(eave),使得有机发光层70不沉积在该间隙空间中。就是说,通过使用具有出色笔直度(straightness)的沉积材料的沉积工艺,例如蒸镀工艺形成有机发光层70。在有机发光层70的沉积工艺过程中根据充当屋檐的分隔部65,有机发光层70不沉积在堤部60与分隔部65之间的间隙空间中。
同时,可通过使用具有较差笔直度的沉积材料的沉积工艺,例如溅射工艺形成阴极电极80。因而,阴极电极80可沉积在堤部60与分隔部65之间的间隙空间中,由此阴极电极80和辅助电极50可彼此电连接。
然而,必然包括倒锥形分隔部65的相关技术的顶部发光型OLED装置可导致下列缺点。
应当执行PEB(Post Exposure Bake,曝光后烘烤)工艺,从而图案化出倒锥形分隔部65。PEB工艺非常复杂,使得难以获得期望的倒锥形。如果倒锥形结构未形成为期望的形状,则分隔部65可能塌陷或脱落。在这种情形中,难以将阴极电极80和辅助电极50彼此电连接。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的