[发明专利]块状硅原料的碱式清洗方法

权利要求书

1.块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将块状的硅原料中含有杂质的部分进行打磨；将打磨后的硅原料放入清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

2）根据观察：将含有少量杂质甚至不含有杂质的硅原料放入碱液池内进行浸泡，对硅原料表面残留的杂质和胶液残留物进行泡洗；将让含有大量杂质的硅原料重复步骤1）的操作；

3）将步骤2）中的放入碱液池内的硅原料浸泡15~25分钟，并对经过碱液池浸泡的硅原料取出并进行观察；

4）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入清水池中冲洗和超声清洗设备中清洗；将含有微量杂质的硅原料再次进行打磨；将仍含有少量杂质的硅原料重复步骤3）的操作；

5）将杂质完全打磨掉的硅原料放入清水池内冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行观察；

6）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含杂质的硅原料进行超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗，对硅原料表面残留的胶液残留物进行泡洗；

7）将步骤6）中的放入碱液池内的硅原料浸泡2~5分钟，并对经过碱液池浸泡的硅原料取出并进行观察；

8）根据观察：将表面光亮、没有残留污垢且不含有杂质的硅原料依次放入清水池中冲洗和超声清洗设备中清洗；将表面仍有残留污垢的硅原料重复步骤7）的操作。

2.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述碱液池中的碱液为氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量百分比在1%~3%的范围内。

3.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述碱液池内碱液的温度在55~100摄氏度的范围内。

4.如权利要求3所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：当室温环境大于或等于25摄氏度的时候，碱液池内碱液的温度在55~65摄氏度的范围内；当室温环境在20~25摄氏度范围内的时候，碱液池内碱液的温度在65~80摄氏度的范围内；当室温环境低于20设施度的时候，碱液池内碱液的温度在80~100摄氏度范围内。

5.如权利要求1或或2或3其中任意一项所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述碱液在浸泡过程中每2~5分钟检测一次碱液的pH值。

6.如权利要求5所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：当硅原料在碱液中浸泡的过程中，当碱液的pH值小于等于12的时候，需要将碱液进行更换。

7.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述的块状的硅原料为回收料或纯料。

8.如权利要求7所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述的块状的硅原料使用重掺笔进行测试的时候，在距离大于等于0.1米的范围听不见重掺笔的报警声。

9.如权利要求1所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述硅原料经过超声清洗设备的清洗之后，将硅原料进行烘干。

10.如权利要求9所述的块状硅原料的碱式清洗方法，其特征在于：所述硅原料的烘干温度在100~120摄氏度的范围内。