[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件在审
| 申请号： | 201611207993.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783952A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张泉;唐龙谷;覃荣震;罗海辉;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括从上到下依次设置的发射极层、N型漂移层、N型缓冲层、P+电极层，在所述N型漂移层中设置有与所述发射极层连接的P阱和浮空P阱，所述P阱两侧设置有多晶硅栅，在所述浮空P阱上与所述多晶硅栅层相邻的一侧设置有假栅，所述假栅用于将所述浮空P阱与所述多晶硅栅层分隔开。
2.如权利要求1所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述假栅的深度与所述多晶硅栅的深度相等。
3.如权利要求2所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述假栅的宽度与所述多晶硅栅的宽度相等。
4.如权利要求3所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述假栅与所述多晶硅栅在深度方向平行。
5.如权利要求1-4任意一项所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述多晶硅栅的深度大于等于所述浮空P阱的深度。
6.如权利要求5所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述浮空P阱的两侧设置有相同尺寸的所述假栅。
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