[发明专利]CMP后清洗设备晶片组合轮结构及使用方法

说明书

一种CMP后清洗设备晶片组合轮结构及使用方法，该结构包括与晶片中心呈同心圆左右对称布局的驱动单元，以及与晶片中心呈同心圆竖直布局的从动单元，晶片与驱动单元和从动单元的结合面呈纵向同面。驱动单元包括驱动轴单元、与驱动轴单元呈套接组合的驱动轮单元，以及将驱动轮单元锁定于驱动轴单元上的压圈a。从动单元包括惰轴单元、与惰轴单元呈套接组合的惰轮单元、将惰轮单元锁定于惰轴单元上的压圈b，以及贴合紧固于惰轴单元上的传感器。本发明的驱动单元、从动单元和晶片外部工作环境处于喷剂介质中。驱动单元拖动晶片定心旋转，从动单元辅助承载并夹持晶片，随晶片带转进行测速跟踪。本发明可有效准确对晶片进行同心拖转及在线测速跟踪。

技术领域

本发明涉及一种CMP后清洗设备中的拖转晶片用的组合轮结构，以及该组合轮结构的使用方法。

背景技术

CMP(chemical mechanical Polishing)后清洗设备,是在电子器件晶片表面进行高精度抛光处理后，进行表面精密清洗的设备。目前可见的国外CMP后清洗设备原型机，晶片是依托在线机械手传送到位被脱离后，靠其自重下滑入组合轮中。现有驱动单元主动胶轮圆周上的摩擦度较低，易造成托转晶片同心旋转时连贯性不稳定，即产生不规则丢转现象，直接影响到晶片刷洗的洁净度及测速的准确性。现有从动单元结构不合理，采用单体轴承且轴承的支撑位过偏，同心度较差，造成惰轮单元摆动较大，因而影响测速的准确性。同时惰轮单元的从动胶轮卡槽入口呈尖角且被夹持端处于卡槽两侧，易出现卡阻现象。

发明内容

本发明提供一种CMP后清洗设备晶片组合轮结构及使用方法，要解决现有CMP后清洗设备驱动单元托转晶片同心旋转时易出现不规则丢转现象的技术问题；并解决晶片惰轮容易出现卡阻现象，晶片惰轮摆动较大，影响测速准确性的技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

这种CMP后清洗设备晶片组合轮结构，包括与晶片中心呈同心圆左右对称布局的驱动单元，以及与晶片中心呈同心圆竖直布局的从动单元，晶片与驱动单元和从动单元的结合面呈纵向同面；

所述驱动单元包括驱动轴单元、与驱动轴单元呈套接组合的驱动轮单元，以及将驱动轮单元锁定于驱动轴单元上的压圈a；

所述驱动轴单元包括基座a、驱动轴、电机和直通接头a；所述电机与基座a呈孔轴方式贴合紧固，直通接头a与基座a呈螺纹方式旋紧密封；所述驱动轴的右侧轴体穿入基座a，并与电机输出轴呈孔轴方式贴合套固；

所述驱动轮单元包括左夹盘a、与左夹盘a呈孔轴方式压入的右夹盘a，以及被夹持于左夹盘a与右夹盘a之间的主动胶轮；所述左夹盘a和右夹盘a套于驱动轴的左侧轴体上，并由压圈a锁定；所述主动胶轮表面间隔设置有凸牙面和凹口；

所述从动单元包括惰轴单元、与惰轴单元呈套接组合的惰轮单元、将惰轮单元锁定于惰轴单元上的压圈b，以及贴合紧固于惰轴单元上的传感器；

所述惰轴单元包括基座b、惰轴、组合轴承、压盖、计数盘、锁圈和直通接头b；所述组合轴承呈孔轴定位方式压入基座b内，组合轴承左侧外圈端面与基座b左端口内侧贴合；所述压盖与基座b右端口卡紧并呈孔轴方式压实组合轴承右侧外圈端面，直通接头b与压盖呈螺纹方式旋紧密封；所述惰轴的右侧轴体呈孔轴配合贯穿组合轴承，至惰轴上的台阶状卡口贴合于组合轴承左侧内圈端面，惰轴右端呈孔轴方式穿入计数盘内，计数盘右端面由锁圈与惰轴右端锁定，计数盘左端口压实组合轴承右侧内圈端面；

所述惰轮单元包括左夹盘b、与左夹盘b呈孔轴方式压入的右夹盘b，以及被夹持于左夹盘b与右夹盘b之间的从动胶轮；所述左夹盘b和右夹盘b套于惰轴的左侧轴体上，并由压圈b锁定；所述从动胶轮中间环向开有晶片卡槽，并在晶片卡槽槽口处带有晶片入口倒边，从动胶轮内侧带有被夹持端面b。

所述基座a颈部套有O型圈a。

所述基座b颈部套有O型圈b。