[发明专利]半导体存储器器件

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

基础芯片；

第一存储器芯片，所述第一存储器芯片叠置在所述基础芯片上方；以及

第一通孔，所述第一通孔提供在所述基础芯片和所述第一存储器芯片之间并且用于传送读取数据和写入数据；以及

其中所述基础芯片具有：

外部接口电路，所述外部接口电路从外部接收写入数据或向外部传送读取数据；以及

第一迟写入控制电路，所述第一迟写入控制电路至少具有第一寄存器，所述第一寄存器存储通过所述外部接口电路从外部提供的写入数据，以及

其中所述第一存储器芯片具有：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有布置成矩阵的多个存储器单元；以及

第二迟写入控制电路，所述第二迟写入控制电路至少具有第二寄存器并且将从所述第二寄存器输出的写入数据写入到用于写入的目标存储器单元，所述第二寄存器存储通过所述第一通孔从所述第一寄存器提供的写入数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器芯片包括同一通道的多个存储体，所述多个存储体包括所述存储器单元阵列和所述第二迟写入控制电路。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

第二存储器芯片，所述第二存储器芯片叠置在所述基础芯片上方，以及

其中所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片包括由所述存储器单元阵列和所述第二迟写入控制电路形成的、同一通道的多个存储体。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一迟写入控制电路包括多个管线化的第一寄存器。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器器件，

其中所述第二迟写入控制电路包括多个管线化的第二寄存器。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一迟写入控制电路是包括所述第一寄存器的功能的高速缓存存储器。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中当与存储在所述第一寄存器中的写入数据对应的地址信号和从外部提供的用于数据读取的地址信号一致时，所述第一迟写入控制电路将存储在所述第一寄存器中的所述写入数据输出作为读取数据。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器器件，

其中当与存储在所述第二寄存器中的写入数据对应的地址信号和从外部提供的用于数据读取的地址信号一致时，所述第二迟写入控制电路将存储在所述第二寄存器中的所述写入数据输出作为读取数据。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器器件，还包括：

门控电路，当与存储在所述第一寄存器中的写入数据对应的地址信号和从外部提供的用于数据读取的地址信号一致时，所述门控电路停止将用于数据读取的所述地址信号提供至所述存储器单元阵列。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述基础芯片还包括算术单元，所述算术单元产生用于取代写入数据的算术值并且基于存储在所述第一寄存器中的所述算术值和从用于回写入的目标存储器单元读取的数据来执行预定算术操作，以及

其中所述算术单元的算术结果被作为新的写入数据存储在所述第一寄存器中。