[发明专利]一种气敏半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611212400.4 | 申请日： | 2016-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108241004A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 青岛祥智电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266100 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 置入 制备 陶瓷管 超声 半导体器件 气敏半导体 电极引脚 烧结 烘干 后置 焊接 器件稳定性 异丙醇溶液 丙酮溶液 参数控制 接入电路 真空烘箱 制备过程 自然放置 电阻丝 灵敏度 烧结窑 附着 浆料 水中 调制 涂抹 穿插 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种气敏半导体器件的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为：
(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为10-12分钟，后置入丙酮溶液中超声10-12分钟，再置入异丙醇溶液中超声12-15分钟，然后置入真空烘箱中烘干20-30分钟，烘干温度设定为100-120℃；
(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着4-6根导线作电极引脚，自然放置20-30分钟后，置入烘箱内烘干15-20分钟，烘干温度为200-220℃，再置入烧结窑中烧结2-3小时，烧结温度设定为800-1000℃；
(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在4-6伏的电压下工作72-120小时。
2.根据权利要求1所述的一种气敏半导体器件的制备方法，其特征在于：所述气敏半导体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料。
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