[发明专利]形成半导体器件的方法有效
申请号: | 201611213212.3 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN107204279B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 翁明晖;罗冠昕;林纬良;洪继正 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/768 |
代理公司: | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯轴 组分聚合物 图案 共聚物材料 间隔件 衬底 半导体器件 引发共聚物 正方形阵列 矩形阵列 微相分离 自组装 侧壁 地被 沉积 去除 配置 | ||
1.一种形成半导体器件的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上方形成芯轴图案,其中,形成所述芯轴图案的步骤包括:实施第一光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第一阵列;以及实施第二光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第二阵列,其中,所述第一阵列的行和所述第二阵列的行是交错的,并且所述第一阵列的列和所述第二阵列的列是交错的;
在所述芯轴图案的侧壁上形成间隔件;
去除所述芯轴图案,从而形成至少部分地被所述间隔件围绕的沟槽;
在所述沟槽中沉积共聚物材料,其中,所述共聚物材料是定向自组装的;以及
在所述共聚物材料内引发微相分离,从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将由所述第一组分聚合物限定的图案转移至所述衬底。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在沉积所述共聚物材料的步骤之前,处理所述间隔件的表面。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述沟槽的每个内,所述第一组分聚合物包括具有至多四行和至多四列的岛阵列。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述沟槽具有相同的尺寸。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述岛阵列是1×2阵列或2×2阵列。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述沟槽是矩形,所述间隔件的第一间隔件围绕所述沟槽的第一个,所述间隔件的第二间隔件围绕所述沟槽的第二个,并且所述第一间隔件的第一角部连接所述第二间隔件的第二角部。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述间隔件的第三间隔件围绕所述沟槽的第三个,所述第二间隔件的第三角部连接所述第三间隔件的第四角部。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述沟槽的第四个在三侧上被所述第一间隔件、所述第二间隔件和所述第三间隔件围绕并且在剩余的一侧上是开口。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,在所述芯轴图案的第一芯轴图案的侧壁上形成所述第一间隔件,在所述芯轴图案的第二芯轴图案的侧壁上形成所述第二间隔件,并且使用分离光刻工艺形成所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述芯轴图案是岛图案或沟槽图案。
12.一种形成半导体器件的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上方形成芯轴图案,其中,形成所述芯轴图案的步骤包括:实施第一光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第一阵列;以及实施第二光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第二阵列,其中,所述第一阵列的行和所述第二阵列的行是交错的,并且所述第一阵列的列和所述第二阵列的列是交错的;
在所述芯轴图案的侧壁上形成间隔件;
去除所述芯轴图案,从而形成至少部分地被所述间隔件围绕的沟槽;
在所述沟槽中沉积共聚物材料,其中,所述共聚物材料是定向自组装的;
在所述共聚物材料内引发微相分离,从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物;以及
将对应于所述第一组分聚合物或所述第二组分聚合物的图案转移至所述衬底。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,从顶视图中,所述芯轴图案是矩形并且具有相同的尺寸,其中,沿着第一方向的所述第一阵列的第一间距等于沿着所述第一方向的所述芯轴图案的尺寸的二倍加上所述间隔件的厚度的二倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611213212.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空调器以及空调器中室内机的控制方法和装置
- 下一篇:脚控电动车
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造