[发明专利]形成半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201611213212.3 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN107204279B 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 翁明晖;罗冠昕;林纬良;洪继正 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/02;H01L21/768
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要:
搜索关键词: 芯轴 组分聚合物 图案 共聚物材料 间隔件 衬底 半导体器件 引发共聚物 正方形阵列 矩形阵列 微相分离 自组装 侧壁 地被 沉积 去除 配置
【权利要求书】:

1.一种形成半导体器件的方法,包括:

提供衬底;

在所述衬底上方形成芯轴图案,其中,形成所述芯轴图案的步骤包括:实施第一光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第一阵列;以及实施第二光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第二阵列,其中,所述第一阵列的行和所述第二阵列的行是交错的,并且所述第一阵列的列和所述第二阵列的列是交错的;

在所述芯轴图案的侧壁上形成间隔件;

去除所述芯轴图案,从而形成至少部分地被所述间隔件围绕的沟槽;

在所述沟槽中沉积共聚物材料,其中,所述共聚物材料是定向自组装的;以及

在所述共聚物材料内引发微相分离,从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将由所述第一组分聚合物限定的图案转移至所述衬底。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在沉积所述共聚物材料的步骤之前,处理所述间隔件的表面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述沟槽的每个内,所述第一组分聚合物包括具有至多四行和至多四列的岛阵列。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述沟槽具有相同的尺寸。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述岛阵列是1×2阵列或2×2阵列。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述沟槽是矩形,所述间隔件的第一间隔件围绕所述沟槽的第一个,所述间隔件的第二间隔件围绕所述沟槽的第二个,并且所述第一间隔件的第一角部连接所述第二间隔件的第二角部。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述间隔件的第三间隔件围绕所述沟槽的第三个,所述第二间隔件的第三角部连接所述第三间隔件的第四角部。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述沟槽的第四个在三侧上被所述第一间隔件、所述第二间隔件和所述第三间隔件围绕并且在剩余的一侧上是开口。

10.根据权利要求7所述的方法,其中,在所述芯轴图案的第一芯轴图案的侧壁上形成所述第一间隔件,在所述芯轴图案的第二芯轴图案的侧壁上形成所述第二间隔件,并且使用分离光刻工艺形成所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述芯轴图案是岛图案或沟槽图案。

12.一种形成半导体器件的方法,包括:

提供衬底;

在所述衬底上方形成芯轴图案,其中,形成所述芯轴图案的步骤包括:实施第一光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第一阵列;以及实施第二光刻,从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第二阵列,其中,所述第一阵列的行和所述第二阵列的行是交错的,并且所述第一阵列的列和所述第二阵列的列是交错的;

在所述芯轴图案的侧壁上形成间隔件;

去除所述芯轴图案,从而形成至少部分地被所述间隔件围绕的沟槽;

在所述沟槽中沉积共聚物材料,其中,所述共聚物材料是定向自组装的;

在所述共聚物材料内引发微相分离,从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物;以及

将对应于所述第一组分聚合物或所述第二组分聚合物的图案转移至所述衬底。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,从顶视图中,所述芯轴图案是矩形并且具有相同的尺寸,其中,沿着第一方向的所述第一阵列的第一间距等于沿着所述第一方向的所述芯轴图案的尺寸的二倍加上所述间隔件的厚度的二倍。

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