[发明专利]一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法在审

专利信息
申请号: 201611213827.6 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108239785A 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 王雅楠;崔彬;刘卓;姜舰;韩秋雨;翟顺元 申请(专利权)人: 有研半导体材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青;熊国裕
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 挂料 反射 单晶硅 热量集中 直拉法 熔化 多晶块料 石英坩埚 温度过高 籽晶夹头 多功率 反射面 观察窗 籽晶夹 掉落 分拆 热场 熔体 埚转 软化 生产 对准 取出 隔离 观察
【权利要求书】:

1.一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法,采用反射工具对挂料进行处理,包括以下步骤:

(1)当发生挂料时将籽晶夹头部分拆下,换上反射工具。

(2)将反射工具的反射面对准挂料位置,反射的热量集中到挂料位置,通过观察窗观察挂料位置的熔化情况,使晶转、埚转同步,使热量集中的部位相对固定;

(3)待多晶块料掉落到熔体中,再进行隔离取出反射工具,换上籽晶夹头进行生产。

2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述反射工具主要由三部分组成,分别为连接杆、石墨槽、反射金属板,连接杆的上端通过销钉连接晶升钢缆,下端通过螺纹可旋转的连接在石墨槽的上端,反射金属板通过螺钉固定在石墨槽的槽口上。

3.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述反射工具的材质为石墨与金属材料。

4.根据权利要求3所述的处理方法,其特征在于,所述石墨的灰分为P5以下。

5.根据权利要求3所述的处理方法,其特征在于,所述金属材料为钼。

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