[发明专利]一种低功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种低功率沟槽式肖特基整流器件，包括：N+单晶硅衬底，形成于所述N+单晶硅衬底上的N-外延层，形成于所述N-外延层上表层中的沟槽，沟槽内的导电介质，形成于所述沟槽与所述导电介质之间的栅绝缘层，形成于所述N-外延层上的阳极金属层，其特征在于，所述沟槽为斜沟槽，所述导电介质包括相间排列的第一导电部和第二导电部，所述第二导电部材料为与N-外延层形成肖特基接触的惰性金属，所述栅绝缘层不连续，所述第一导电部通过栅绝缘层与N-外延层隔离，所述第二导电部与N-外延层接触，所述第一导电部个数不少于两个，所述第二导电部个数不少于一个，所述沟槽顶端与底端填充的导电介质属于第一导电部。

2.根据权利要求1所述的低功率沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：第一导电部材料与第二导电部材料不同。

3.根据权利要求1所述的低功率沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：第一导电部材料与第二导电部材料相同。

4.根据权利要求1所述的低功率沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：第二导电部材料与阳极金属层材料相同。

5.根据权利要求1所述的低功率沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：第二导电部材料与阳极金属层材料不同。

6.权利要求1-5所述的任一一种低功率沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在N+单晶硅衬底上形成N-外延层，通过硬质掩膜版刻蚀N-外延层，形成沟槽，沟槽形状为斜沟槽；

(2)在沟槽内壁形成栅绝缘层，沉积第一导电部材料，部分填充沟槽，形成第一导电部；

(3)以硬质掩膜版以及沟槽内第一导电部为掩膜，刻蚀栅绝缘层，至栅绝缘层与第一导电部高度相同，沉积第二导电部材料，部分填充沟槽，形成第二导电部；

(4)循环重复(2)、(3)步至填满沟槽，沟槽顶端填充的导电介质属于第一导电部；

(5)形成阳极金属层。

7.根据权利要求6所述的低功率沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述栅绝缘层材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求6所述的低功率沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述第一导电部材料为金属。

9.根据权利要求6所述的低功率沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：第(2)步栅绝缘层可通过外延生长形成。

10.根据权利要求6所述的低功率沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：第(1)步与第(3)步用同一块硬质掩膜版。