[发明专利]基于Al2O3纳米颗粒的薄膜封装方法及其应用

权利要求书

1.一种基于Al₂O₃纳米颗粒的薄膜封装方法，包括以下步骤：

提供全氟癸基膦酸和/或全氟癸基羧酸，将其溶解后形成有机修饰分子溶液；

在所述有机修饰分子溶液中加入Al₂O₃纳米颗粒，超声混匀后得到Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液；

提供待封装的金属层，在所述金属层表面沉积Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液，干燥得到封装层。

2.如权利要求1所述的基于Al₂O₃纳米颗粒的薄膜封装方法，其特征在于，所述有机修饰分子溶液的浓度为5-10mmol/L；和/或

所述Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液中Al₂O₃的浓度为0.5-1g/ml。

3.如权利要求1所述的基于Al₂O₃纳米颗粒的薄膜封装方法，其特征在于，所述Al₂O₃纳米颗粒的粒径为10-30nm。

4.一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，并按照权利要求1所述方法制备Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液；

在所述基板上依次沉积阳极、发光功能层和金属阴极；

在所述金属阴极上沉积Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液，干燥得到封装层。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述有机修饰分子溶液的浓度为5-10mmol/L；和/或

所述Al₂O₃纳米颗粒自组装混合液中Al₂O₃的浓度为0.5-1g/ml。

6.如权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃纳米颗粒的粒径为10-30nm。

7.如权利要求4-6任一所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管或有机发光二极管。

8.如权利要求4-6任一所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管，所述发光功能层为量子点发光层。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。

10.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管由权利要求4-6、8-9任一所述方法制成。