[发明专利]半导体结构和相关的制造方法

说明书

本发明公开了半导体结构。半导体结构包括：第一导电性的衬底；在衬底中形成的第一导电性的第一区；在第一区中形成的第一导电性的第二区，其中第二区具有比第一区更高的掺杂密度；在第二区中形成第二导电性的源极区；在衬底中形成的第二导电性的漏极区；在第二区中形成并且与源极区相邻的第一导电性的拾取区；以及在第二区的顶面上形成的抗蚀剂保护氧化物(RPO)层。本发明也公开了相关的制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体结构和相关的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速增长。在IC材料和设计上的技术进步已经产生了一代又一代的IC，而且每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步已经增加了加工和制造IC的复杂性以及，为了实现这些进步，在IC加工和制造中相称的发展是需要的。例如，随着由诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的器件组成的半导体电路适用于高压应用，当高压器件与低压器件(例如，逻辑器件)结合用于片上系统(SoC)技术时出现了问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导电性的衬底；所述第一导电性的第一区，形成在所述衬底中；所述第一导电性的第二区，形成在所述第一区中，其中，所述第二区具有比所述第一区更高的掺杂密度；第二导电性的源极区，形成在所述第二区中；所述第二导电性的漏极区，形成在所述衬底中；所述第一导电性的拾取区，形成在所述第二区中并且与所述源极区相邻；以及抗蚀剂保护氧化物(RPO)层，形成在所述第二区的顶面上。

本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导电性的衬底；栅极结构，形成在所述衬底上；所述第一导电性的区域，形成在所述衬底中；第二导电性的源极区，形成在所述区域中；所述第二导电性的漏极区，形成在所述衬底中；以及所述第一导电性的拾取区，形成在所述区域中并且与所述源极区相邻；其中，所述源极区和所述拾取区未由所述区域中的隔离部件结构分隔开。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：提供第一导电性的衬底；在所述衬底中形成所述第一导电性的第一区；在所述第一区中形成所述第一导电性的第二区，其中，所述第二区具有比所述第一区更高的掺杂密度；在所述衬底上形成栅极结构；在所述第二区中形成第二导电性的源极区；在所述衬底中形成所述第二导电性的漏极区；在所述第二区中形成与所述源极区相邻的所述第一导电性的拾取区；以及在所述第二区的顶面上形成抗蚀剂保护氧化物(RPO)层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图11是根据本发明的示例性实施例的示出高压半导体器件在制造的各个阶段处的图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。