[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池

权利要求书

1.一种堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其包括：

至少三个子电池(SC1，SC2，SC3)，其中，所述三个子电池(SC1，SC2，SC3)中的每一个具有发射极和基极，

其中，所述第一子电池(SC1)包括由具有至少元素GaInP的化合物制成的第一层，并且所述第一层的能带隙大于1.75eV，并且所述第一层的晶格常数位于563.5pm和567.5pm之间的范围内，

其中，所述第二子电池(SC2)包括由具有至少元素GaAs的化合物制成的第二层，并且所述第二层的能带隙位于1.35eV和1.70eV之间的范围内，并且所述第二层的晶格常数位于563.5pm和567.5pm之间的范围内，

其中，所述第三子电池(SC3)包括由具有至少元素GaInAs的化合物制成的第三层，并且所述第三层的能带隙小于1.25eV，并且所述第三层的晶格常数大于570.0pm，

其中，所述三个层的厚度分别大于100nm并且所述三个层构造为所述相应的三个子电池(SC1，SC2，SC3)的发射极的一部分和基极的一部分，和

变质的缓冲区(MP1)，其中，所述缓冲区(MP1)构造在所述第二子电池(SC2)和所述第三子电池(SC3)之间，并且所述缓冲区(MP1)具有至少三个层的序列，并且所述缓冲区的层的晶格常数大于所述第二层的晶格常数，并且所述缓冲区的层的晶格常数在所述序列的情况下朝所述第三子电池的方向从层到层地增加，

其中，在所述堆叠的分别两个子电池之间不构造有半导体键合且不布置有衬底，

其特征在于，

至少所述第二层或者所述第三层或者所述第二层和所述第三层由具有至少元素GaInAsP的化合物制成并且具有大于1％且小于35％的磷含量和大于1％的铟含量，其中，磷含量与V族原子的总含量有关，铟含量与III族原子的总含量有关。

2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第一层的晶格常数或者所述第二层的晶格常数或者所述第一层和所述第二层的晶格常数位于564.0pm和567.0pm之间的范围内。

3.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第一层的晶格常数或者所述第二层的晶格常数或者所述第一层和所述第二层的晶格常数位于564.5pm和566.5pm之间的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第一层的晶格常数与所述第二层的晶格常数相差小于0.2％。

5.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第三层的晶格常数大于573.0pm。

6.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述多结太阳能电池(MS)具有第四子电池(SC4)，其中，所述第四子电池(SC4)包括由具有至少元素GaInAs的化合物制成的第四层，并且所述第四层的能带隙比所述第三层的能带隙小至少0.15eV，并且所述第四层的厚度大于100nm，并且所述第四层构造为发射极的一部分和基极的一部分。

7.根据权利要求6所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第四层由具有至少元素GaInAsP的化合物制成并且具有大于1％和小于35％的磷含量和大于1％的铟含量。

8.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，半导体镜(HS1)构造在两个子电池之间，或所述半导体镜(HS1)布置在具有最低的能带隙的最下部的子电池下方。

9.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述第一子电池(SC1)的第一层由具有至少元素AlGaInP的化合物制成。

10.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述多结太阳能电池(MS)不具有Ge子电池。