[发明专利]一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机

说明书

本发明公开了一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机，该方法包括将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。通过上述方式，本发明能够提高晶圆保护模块位置的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体光刻领域，特别是涉及一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机。

背景技术

光刻机是半导体制造领域关键设备，其一般会用到晶圆模块。现有晶圆保护模块都是通过一个金属保护环治具实现，通过机械定位安装于光刻机的曝光平台上，由于机械定位稳定性较差，且出现偏移后无法及时发现，会导致大批量的产品返工甚至报废，造成严重的经济质量损失。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机，能够提高晶圆保护模块位置的准确性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，所述方法包括：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。

其中，所述根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量的步骤包括：对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。

其中，所述方法进一步包括：根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。

其中，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。

其中，所述根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置的步骤包括：将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；相对于所述晶圆保护模块对所述基台进行位置调整。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种光刻机，所述光刻机包括：基台，用于放置晶圆保护模块且设置有基准标记；检测设备，用于根据所述基准标记检测并计算所述晶圆保护模块在所述基台上的实际位置与理论位置的偏移量，并判断所述偏移量是否大于预设阈值；调整设备，用于在所述偏移量大于所述预设阈值时根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。

其中，所述检测设备包括：图像采集设备，用于对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；图像处理设备，用于通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。

其中，所述图像处理设备进一步根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。

其中，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。