[发明专利]一种非色散型红外光谱气体分析仪的光源制作方法

权利要求书

1.一种非色散型红外光谱气体分析仪的光源制作方法，该方法是如下步骤实现的：

步骤一：在已渡有二氧化硅绝缘薄膜的单晶硅基体上制备热绝缘薄膜；

在表面已镀有二氧化硅绝缘薄膜的单晶硅基体上制备一层无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜，所述的单晶硅基体的面积可为Φ10mm-Φ100mm，制备的无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜厚度为2μm-6μm。

步骤二：热绝缘薄膜上制备电极压焊块；

采用多靶直流磁控溅射法在无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜上制备铂/钛金属薄膜并采用正胶剥离法按照申请号为200510010975.3的专利：一种铂钛金属薄膜图形化技术所述的方法完成图形化；其中，每一个光源芯片的大小尺寸根据实际需要确定，

所述铂/钛金属薄膜的厚度为100nm-1000nm，大小尺寸在Φ0.5mm-Φ2mm范围内；

步骤三：在两电极压焊块之间的热绝缘薄膜上，制备无定形碳或碳化硅薄膜作为热阻薄膜，并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化；

采用等离子增强化学沉积法(PECVD)在铂/钛金属薄膜上制备碳化硅薄膜作为热阻薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化，所述的热阻薄膜的厚度为300nm-1000nm；碳化硅热阻薄膜厚度为800nm，此薄膜两端连接电极，同时，该薄膜的图形化后呈连续的弓字形，弓字形的线条宽度为100-200μm，相邻平行条纹之间的间隙为10-50μm；

步骤四：对光源芯片进行划片，将划片后的光源芯片与处理电路连接并进行封装；

利用划片机沿每个光源芯片的交界处下刀完成划片，从整片20mm×20mm的硅片上得到同样的16片光源芯片，并完成芯片连接线的一端与芯片压焊块之间的焊接；

将芯片与信号处理电路板粘接在一起，并完成芯片连接线的另一端与及信好处理电路板引线的焊接，得到光源芯片组件，将光源芯片组件、带光谱窗口及底座的外壳封装即完成光源的制作。