[发明专利]氧化钒复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化钒复合薄膜，其特征在于，包括氧化钒层和氧化钛层，所述氧化钛层位于所述氧化钒层的表面，所述氧化钛层中的钛元素的质量为所述复合薄膜的总质量的0.1～10％，所述复合薄膜的厚度为

其中，所述氧化钒复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：

S101：在基片的表面制备一层绝缘层；

S102：采用直流磁控溅射法，在所述绝缘层上制备一层氧化钒薄膜；

S103：将S102中制备的氧化钒薄膜在氮气气氛下进行退火处理，所述退火处理过程中对所述氧化钒薄膜施加偏置功率；

S104：采用直流磁控溅射法，在S103中经退火处理后的氧化钒薄膜上制备一层纳米钛薄膜，所述纳米钛薄膜由粒度为2～20nm的纳米钛颗粒组成；

S105：将S104中制备了所述纳米钛薄膜的复合物在氧气气氛下的真空环境中进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述氧化钛层中的钛元素的质量为所述复合薄膜的总质量的1～5％，所述复合薄膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S102中，制备所述氧化钒薄膜的溅射功率为300～600W，氧分压为1％～20％，工作压力为0.5～3Pa，基片温度为25～300℃。

4.根据权利要求3所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S102中，制备所述氧化钒薄膜的溅射功率为400～500W，氧分压为1％～10％，工作压力为1～2Pa，基片温度为200～250℃；所述氧化钒薄膜中的氧化钒为非晶态、微晶态或纳米晶态中的任意一种或多种组合，所述氧化钒的分子式表示为VO_x，其中，1≤x≤2.5。

5.根据权利要求1所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S103中，所述退火处理的温度为200～250℃，时间为3～10min；所述偏置功率的大小为30～100W。

6.根据权利要求1所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S104中，制备所述纳米钛薄膜的溅射功率为500～1000W，工作压力为0.5～2Pa，基片温度为20～250℃。

7.根据权利要求6所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S104中，制备所述纳米钛薄膜的溅射功率为500～800W，工作压力为0.5～1Pa，基片温度为20～30℃。

8.根据权利要求1所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述S105中，所述退火处理的温度为200～500℃，时间为1～8h，所述真空环境的气压小于0.001mTorr。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的氧化钒复合薄膜，其特征在于，所述绝缘层包括氮化硅、二氧化硅、碳化硅中的任意一种或多种组合；在基片的表面制备所述绝缘层的方法包括直流磁控溅射法、射频磁控溅射法、离子溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、热氧化法中的任意一种或多种组合。