[发明专利]一种铜硒基纳米复合热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611218178.9 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108242500B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 史迅;赵琨鹏;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/22;H01L35/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜硒基 纳米 复合 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述p型纳米复合热电材料包括Cu2-xSe1-zTez、以及分布于所述Cu2-xSe1-zTez中的碳纳米管，其中0≤ x ≤0.15，0≤ z ≤1，所述碳纳米管的质量百分数 ≤ 2%；
所述p型纳米复合热电材料的制备方法包括：
以通式Cu2-xSe1-zTez中的各元素单质粉末和碳纳米管为初始原料，按照Cu2-xSe1-zTez的化学计量比、以及Cu2-xSe1-zTez与碳纳米管的质量比称取后，在惰性气氛中、450～500转/分钟的球磨转速下球磨5～48小时，得到Cu2-xSe1-zTez/ CNT纳米复合材料；
将球磨后的Cu2-xSe1-zTez/ CNT纳米复合材料制备成型后，在450～600℃、60～65MPa下加压烧结，得到所述p型纳米复合热电材料。
2.根据权利要求1所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述碳纳米管的直径为10～20纳米，长度＞3 μm。
3.根据权利要求1所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述碳纳米管为纯度＞96%，电导率＞104 S/m。
4.根据权利要求1所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述各元素单质粉末的粒径≤100目。
5.根据权利要求4所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述各元素单质粉末的纯度＞99.9%。
6.根据权利要求1所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，将初始原料、以及碳化钨球在氩气气氛手套箱中装入材质为碳化钨的球磨罐，进行球磨。
7.根据权利要求6所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述碳化钨球和初始原料的质量比为5:1～20:1。
8.根据权利要求1-7中任一所述的p型纳米复合热电材料，其特征在于，所述加压烧结为放电等离子体烧结，放电等离子体烧结的时间为5～10分钟。
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