[发明专利]MEMS释放长度检测结构及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS释放长度检测结构，其特征在于：包括下结构层、形成在所述下结构层上的牺牲层和形成在所述牺牲层上的上结构层，所述上结构层中设有释放孔和释放长度观察孔，所述释放孔贯穿上结构层；所述上结构层全部由不透明材料所形成，或者所述上结构层部分由不透明材料所形成；所述释放长度观察孔至少贯穿由不透明材料所形成的部分。

2.如权利要求1所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，所述释放长度观察孔为沿于牺牲层的平面上的腐蚀方向延伸的一个；或者，所述释放长度观察孔为至少两个，至少两个所述释放长度观察孔沿于牺牲层的平面上的腐蚀方向分布。

3.如权利要求1所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，所述上结构层为单层或者至少两层；当所述上结构层为单层时，所述上结构层为由不透明材料所形成的不透明层；当所述上结构层为至少两层时，所述上结构层包括至少两层子结构层，其中至少一层子结构层为由不透明材料所形成的不透明层。

4.如权利要求3所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，当所述上结构层包含至少两层子结构层时，在至少两层所述子结构层中所述不透明层位于下层，所述不透明层与所述牺牲层接触。

5.如权利要求1所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，所述释放孔和释放长度观察孔以外的区域刻蚀形成有长度标尺。

6.如权利要求1至5项中任意一项所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，所述MEMS释放长度检测结构还包括形成在所述上结构层的释放阻挡层，释放阻挡层为透明层或半透明层，所述释放阻挡层未覆盖所述释放孔。

7.如权利要求6所述的MEMS释放长度检测结构，其特征在于，所述释放长度观察孔内覆盖有释放阻挡层。

8.一种MEMS释放长度检测结构的制备方法，其特征在于，用以形成如权利要求1至7项中任意一项所述的MEMS释放长度检测结构，所述制备方法包括如下步骤：

S1：在下结构层上沉积牺牲层；

S2：在所述牺牲层上沉积上结构层，其中，上结构层全部由不透明材料所形成，或者所述上结构层部分由不透明材料所形成；

S3：在所述上结构层上刻蚀形成释放孔和释放长度观察孔，所述释放孔贯穿上结构层，所述释放长度观察孔至少贯穿由不透明材料所形成的部分。

9.如权利要求8所述的MEMS释放长度检测结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括如下步骤：

S4：在所述上结构层上沉积释放阻挡层，刻蚀掉释放孔内的释放阻挡层。

10.如权利要求9所述的MEMS释放长度检测结构的制备方法，其特征在于，在S4中，在刻蚀释放阻挡层时，除了刻蚀释放孔内的释放阻挡层，在释放孔和释放长度观察孔以外的区域刻蚀形成长度标尺。