[发明专利]一种高压超结VDMOS在审
| 申请号： | 201611218670.6 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106847919A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨尊松;王立新;肖超;宋李梅;陆江;罗小梦;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 vdmos | ||
【权利要求书】：
1.一种高压超结VDMOS，其特征在于，包括：
N+衬底；
第一超结，位于所述N+衬底上面；
第二超结，位于所述第一超结上面。
2.如权利要求1所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述第一超结，包括：
第一外延区；
第一P柱，位于所述第一外延区外侧。
3.如权利要求2所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述第二超结，包括：
第二外延区；
第二P柱，位于所述第二外延区外侧。
4.如权利要求3所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
P阱，位于所述第二超结上面，且与所述第二外延区、以及所述第二P柱相连。
5.如权利要求4所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
N+源区，设置在所述P阱上面。
6.如权利要求5所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
源极，与所述P阱、以及所述N+源区相连；
漏极，与所述N+衬底相连。
7.如权利要求6所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
栅氧化层，位于所述P阱、以及所述第二外延上面，且与所述P阱、以及所述第二外延区相连；
栅极，与所述栅氧化层相连。
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