[发明专利]一种利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法

权利要求书

1.一种利用周期性散射结构提高 LED芯片出光效率的方法，其特征在于：对于已经制备好厚金电极的LED芯片，在芯片的透明电极ITO层沉积周期性纳米颗粒或者纳米孔阵结构，利用纳米颗粒散射提高LED的出光效率，所述的纳米结构材料是在可见光波段透过率较高的导电材料。

2.根据权利要求1所述的利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：所述周期性纳米颗粒结构为ITO材料或氧化锌（ZnO）材料。

3.根据权利要求1所述的利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、在制备好厚金电极的LED芯片表面制备单层密排的聚苯乙烯（PS）纳米球；先用氧离子刻蚀微球，控制微球的尺寸，然后以此微球为模板，来获得不同的占空比的纳米球掩膜；

b、利用磁控溅射的方法沉积ITO或ZnO薄膜，在氯仿中超声去掉厚金电极保护层和PS掩膜，获得周期性的ITO或ZnO纳米结构。

4.根据权利要求3所述的利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：步骤a中，在制备单层的PS纳米球之前，使用光刻的方法在LED芯片上制备厚金电极保护层，然后再制备单层的PS纳米球，所述厚金光刻胶电极保护层的厚度是1-3微米。

5.根据权利要求3所述的利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：步骤a中，在ITO层制备单层密排的纳米球，所述纳米球为单分散的聚苯乙烯微球，所述聚苯乙烯微球的直径在100nm-2um之间。

6.根据权利要求3所述的利用周期性散射结构提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：步骤b中，在LED透明电极ITO表面制备的ITO或ZnO纳米结构为纳米颗粒阵列或周期性的孔阵结构。