[发明专利]半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

于一基板上方形成一第一层间介电层；

于该些第一层间介电层中形成第一凹陷；

于该些第一凹陷中形成金属导线；

于该些金属导线和该些第一层间介电层上方形成一遮罩层；

通过图案化该遮罩层形成一第一开口和一第二开口；

通过蚀刻该些第一层间介电层形成对应于该第一开口的一第一槽和对应于该第二开口的一第二槽；以及

形成一第二层间介电层，以便于该第一槽中形成一第一空气间隙，且于该第二槽中形成一第二空气间隙，其中：

该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度，

于一第一区域中形成的该第一空气间隙是夹设于以该第一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，

于一第二区域中形成的该第二空气间隙是夹设于以该第二间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，

该些金属导线以一第一方向延伸，以及

该第一开口沿该第一方向的一长度大于该第二开口沿该第一方向的一长度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：

在一平面图中，该第一开口重迭至少两条的该些金属导线，以及

在该平面图中，该第二开口仅重迭该些金属导线的一条。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第二区域的两条相邻的该些金属导线的至少一条为一虚设金属导线。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中：

在一平面图中，该第一开口重迭至少该些金属导线的至少两条，以及

在该平面图中，该第二开口重迭该虚设金属导线。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在该平面图中，该第一开口重迭多于两条的该些金属导线。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在该平面图中，该第二开口重迭该虚设金属导线和一相邻虚设金属导线。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：

在一平面图中，该第一空气间隙具有沿一第一方向的一长边长度和沿一第二方向的一短边宽度，该第二方向垂直于该第一方向，

在一平面图中，该第二空气间隙具有沿一第一方向的一第一边长度和沿一第二方向的一第二边长度，以及

该第一空气间隙的该长边长度和该短边宽度的一比值大于该第二空气间隙的该第一边长度和该第二边长度的一比值。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

该第一空气间隙的该长边长度和该短边宽度的该比值大于5，以及

该第二空气间隙的该第一边长度和该第二边长度的该比值为0.5-2。

9.一种半导体装置，包括：

一第一层间介电层，设置于一基板上方；

金属导线，内嵌于该第一层间介电层中，该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度；

一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层和该些金属导线上方；

一第一空气间隙，利用该第二层间介电层形成，该第一空气间隙形成于一第一区域中，且夹设于以该第一间隙配置的相邻两条金属导线之间；以及

一第二空气间隙，利用该第二层间介电层形成，该第二空气间隙形成于一第二区域中，且夹设于以大于该第一间隙的一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，

其中该些金属导线以一第一方向延伸，以及

该第一空气间隙沿该第一方向的一长度大于该第二空气间隙沿该第一方向的一长度。