[发明专利]一种改善离子注入监控的方法

权利要求书

1.一种改善离子注入监控的方法，其特征在于，包括：

对监控片进行氧化，在所述监控片的表面生长氧化层；

对表面具有所述氧化层的监控片进行离子注入；

对离子注入后的所述监控片进行杂质激活退火；

去除退火后的所述监控片表面的氧化层；

测量所述监控片的方块电阻。

2.如权利要求1所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为10nm～1μm。

3.如权利要求2所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度的均匀性小于0.5％。

4.如权利要求1所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述对离子注入后的所述监控片进行杂质激活退火，包括：

对完成离子注入的所述监控片采用水平炉管或快速热处理设备进行杂质激活退火，退火温度为900℃～1150℃，退火时间为10s～30min，退火气氛为在N₂、O₂或N₂与O₂的混合气体下进行退火。

5.如权利要求1所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述去除退火后的所述监控片表面的氧化层，包括：

采用缓冲氧化硅腐蚀液或HF溶液去除所述氧化层，所述缓冲氧化硅腐蚀液为NH₄F和HF的混合液，NH₄F和HF的体积比为7:1。

6.如权利要求5所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，采用所述缓冲氧化硅腐蚀液或所述HF溶液去除所述氧化层的时间大于2min。

7.如权利要求1所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，在所述去除退火后的所述监控片表面的氧化层和所述测量所述监控片的方块电阻之间，还包括：

对所述监控片进行清洗。

8.如权利要求7所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述对所述监控片进行清洗，包括:

用去离子水对所述监控片清洗2min～10min；

用H₂O₂与NH₄OH的混合溶液对所述监控片进行清洗1min～5min；

去离子水对所述监控片清洗2min～10min。

9.如权利要求1所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述测量所述监控片的方块电阻，包括:

采用四探针测量所述监控片的方块电阻。

10.如权利要求9所述的改善离子注入监控的方法，其特征在于，所述采用四探针测量所述监控片的方块电阻，包括：

选取所述监控片的至少5个不同位置的测量点测量所述监控片的方块电阻。