[发明专利]一种真空室有效
申请号: | 201611221281.9 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106601652B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 刘思洋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 | ||
本发明涉及一种真空室,其包括设置有开口的腔室本体,用于开关所述开口的腔室门,以及具有弹性的、设置在所述腔室本体与所述腔室门之间且环绕所述开口的密封圈,其中,所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔,所述环形流体腔内容纳有流体。密封圈能自适应腔室门和腔室本体之间的间隙变化而可靠地封堵住这两者之间的宽间隙,以实现腔室门和腔室本体之间的可靠密封。
技术领域
本发明涉及一种密封技术,特别涉及一种真空室。
背景技术
真空室为在工作时需要被抽真空的腔室,真空室内的气压低于大气压。在液晶显示面板的阵列基板的制作过程中,需要使用各种真空机台完成相应制程。例如使用物理气相沉积机(PVD)对玻璃基板进行Al、Mo、Ti、Cu等金属膜沉积以及ITO、IGZO等非金属膜沉积,使用化学气相沉积机(CVD)对玻璃基板进行SIOx、SINx、A-si等非金属膜沉积,使用干法刻蚀机(Dry Etch)进行各种金属膜和非金属膜刻蚀,该类基板传送和制程均需要在高真空的真空室内完成,对真空室的洁净度和气密性有严格要求。然而真空室的门本身往往在使用过程中因加工精度或者受热等影响,会产生一定的形变,在腔室门和腔室本体之间的配合达不到足够的精度的情况下,进而对腔室本身的气密性产生一定的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题为如何增加真空室在腔室门处的气密性。
为解决上述技术问题,本发明提出了一种真空室,其包括设置有开口的腔室本体,用于开关所述开口的腔室门,以及具有弹性的、设置在所述腔室本体与所述腔室门之间且环绕所述开口的密封圈,其中,所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔,所述环形流体腔内容纳有流体。
在一个具体的实施例中,所述流体为惰性气体。
在一个具体的实施例中,所述惰性气体为氩气。
在一个具体的实施例中,所述流体为液体。
在一个具体的实施例中,密封圈的本体采用橡胶制造。
在一个具体的实施例中,所述密封圈为圆环形。
在一个具体的实施例中,密封圈的横截面为圆环形。
在一个具体的实施例中,所述环形流体腔的横截面为十字形,密封圈的本体为包裹所述环形流体腔的薄壁结构。
本发明的真空室,在腔室本体和腔室门之间设置密封圈,所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔,所述环形流体腔内容纳有流体;在腔室门后腔室门和腔室本体之间的配合达不到足够的精度的情况下,腔室门和腔室本体之间形成的间隙宽度不均匀,密封圈会受到这两者不均匀的挤压,当其受到不均匀的挤压后,密封圈内的流体会沿着环形流体腔从窄间隙处流向宽间隙处,进而密封圈在窄间隙处的部分宽度变窄在宽间隙处的部分宽度变宽。因此,密封圈能自适应腔室门和腔室本体之间的间隙变化而可靠地封堵住这两者之间的宽间隙,由此实现腔室门和腔室本体之间的可靠密封。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中:
图1为本发明的一种实施例中的真空室的结构示意图;
图2为本发明的一种实施例中的密封圈的结构示意图;
图3为本发明的一种实施例中的密封圈的局部示意图;
图4为本发明的一种实施例中的密封圈的局部示意图。
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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