[发明专利]一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及玻璃

权利要求书

1.一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤：

步骤S1，在玻璃基板(1)上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜(2)；

步骤S2，在ITO纳米膜(2)上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜(2)上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。

2.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的本底真空度为1.5E-4Pa，切连续抽真空24小时以上。

3.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，连续磁控溅射成膜时的工作压强2-4E-1Pa，并且在溅射室内中充入惰性气体。

4.如权利要求3所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，在溅射室内充入的惰性气体为纯度99.999％的高纯氩气。

5.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述步骤S2中，还需向溅射室内注入反应气体O2，根据WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)的厚要求，通过控制气体O2的流量，令溅射靶材的表面呈金属态和氧化态之间的过渡态，进而保证溅射过程中气体O2充分反应以获得WO3阴极电致变色薄膜，同时又达到预设的沉积速率。

6.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，还包括有玻璃基板(1)清洗步骤，用以清洗玻璃基板(1)表面所的杂质。

7.如权利要求6所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述清洗步骤是采用超声波洁净技术对玻璃基板进行超纯水清洗，超纯水系统产出的水质为18MΩ.cm，震荡频率为40KHz,震荡液体的气蚀能量可将杂质从玻璃基板表面松动下来,以提高玻璃表面的洁净度。

8.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线包括有依次设置的近片室、近片过渡室、近片缓冲室、中央连续镀膜室、出片缓冲室、出片过渡室和出片室，各室之间的隔离阀门采用由气缸驱动的翻板阀门。

9.一种基于WO3电致变色薄膜的玻璃，其特征在于，包括有玻璃基板(1)，所述玻璃基板(1)上利用直流磁控溅射沉积有ITO纳米膜(2)，所述ITO纳米膜(2)上磁控溅射沉积有WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，并利用直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜(2)上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。

10.如权利要求9所述的基于WO3电致变色薄膜的玻璃，其特征在于，所述ITO纳米膜(2)的厚度为3nm～25um，所述WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)的厚度为280nm～300nm。