[发明专利]一种超低电阻半导电缓冲阻水带在审
申请号: | 201611224307.5 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106782827A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李鑫鑫;王巍 | 申请(专利权)人: | 沈阳东铄电材有限公司 |
主分类号: | H01B7/288 | 分类号: | H01B7/288;H01B9/00 |
代理公司: | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 | 代理人: | 李娜,刘冬梅 |
地址: | 110144 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻 导电 缓冲 阻水带 | ||
技术领域
本发明涉及电力电缆领域,尤其涉及一种超低电阻半导电缓冲阻水带。
背景技术
(超)高压绝缘电缆由核心向外依次包括导体、导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层、缓冲层、金属套、防腐层、外护套。(超)高压绝缘电缆的缓冲层常为半导电缓冲阻水带材料绕包而成,缓冲层具有半导电特性,起缓冲、弱化电场强度的作用。半导电缓冲阻水带能阻止水分沿电缆纵向进一步扩散,起到电缆纵向阻水功能。然而目前的半导电缓冲阻水带表面电阻和体积电阻率均较大,由于超高压电缆(如500kV超高压电缆)对半导电缓冲阻水带的表面电阻值、体积电阻率值有愈加严格的要求,现有的产品已经不能满足用户要求。
因此,由于上述问题的存在,本发明人对现有的缓冲层材料进行研究和改进,以期研制出一种超低电阻半导电缓冲阻水带以满足超高压电缆的要求。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明人进行了锐意研究,通过改变半导电缓冲阻水带的层结构,解决了半导电缓冲阻水带高电阻的问题,从而完成本发明。
本发明目的在于提供以下技术方案:
1.一种半导电缓冲阻水带,所述半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20,半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别设有粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21,优选通过在半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别涂覆胶黏剂而形成,更优选在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间设有阻水层30,优选通过在所述粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间铺设吸水材料形成的,
其中,粘结层Ⅰ11和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ111,并且,粘结层Ⅱ21和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ211。
根据本发明提供的一种超低电阻半导电缓冲阻水带,具有如下有益效果:
(1)本发明中对无纺布Ⅰ和无纺布Ⅱ中至少一种基材进行两次或两次以上的半导电化处理;和/或在不导电吸水树脂中添加大粒径的半导电吸水树脂,极大降低了半导电缓冲阻水带的表面电阻和体积电阻率;
(2)由于半导电吸水树脂的粒径大于不导电吸水树脂,过渡层Ⅰ和过渡层Ⅱ中吸水材料主要是半导电吸水树脂与粘结层Ⅰ和粘结层Ⅱ相连,如此,半导电材料在半导电缓冲阻水带的厚度方向上分布范围更大,降低了产品的电阻;
(3)本发明中半导电缓冲阻水带结构简单,降低了加工难度,便于生产和推广。
附图说明
图1示出根据本发明中半导电缓冲阻水带的结构示意图。
附图标号说明
10-半导电无纺布Ⅰ;
11-粘结层Ⅰ;
111-过渡层Ⅰ
20-半导电无纺布Ⅱ;
21-粘结层Ⅱ;
211-过渡层Ⅱ;
30-阻水层。
具体实施方式
下面通过对本发明进行详细说明,本发明的特点和优点将随着这些说明而变得更为清楚、明确。尽管在附图中示出了实施例的各种方面,但是除非特别指出,不必按比例绘制附图。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于本发明工作状态下的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
本发明公开的是一种超低电阻半导电缓冲阻水带,如图1所示,所述半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20,在所述半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别设有粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21,优选通过在半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别涂覆胶黏剂而形成,进一步地,在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间设有阻水层30,优选通过在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间铺设吸水材料而形成,
其中,粘结层Ⅰ11和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ111,并且,粘结层Ⅱ21和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ211。
在一种优选的实施方式中,所述半导电无纺布Ⅰ10选自半导电热轧布或半导电粘合布中任意一种。其中,热轧布或粘合布为涤纶布(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、锦纶布(聚酰胺纤维)或聚丙烯纤维布(聚丙烯纤维)等材料。热轧布和粘合布的纵向抗张强度和断裂伸长率均较大,在半导电缓冲阻水带抗张强度和断裂伸长率方面其促进作用。
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