[发明专利]InGaN基黄色发光二极管结构

权利要求书

1.InGaN基黄色发光二极管结构，包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：所述准备层和黄光多量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述准备层是In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N叠层结构，其中0.03≤x≤0.15，0≤y≤0.05，且x＞y；所述准备层叠层周期数为k，In_xGa_(1-x)N层的厚度为h_x，In_yGa_(1-y)N层的厚度为h_y，其中10≤k≤100，1.5nm≤h_x≤20nm，0.5nm≤h_y≤4nm，且h_x与h_y的比值范围为2--5；所述黄光多量子阱层为In_zGa_(1-z)N/In_wGa_(1-w)N周期结构，其中0.2≤z≤0.4，0≤w≤0.15；所述黄光多量子阱层周期数为m，In_zGa_(1-z)N层的厚度为h_z，In_wGa_(1-w)N层的厚度为h_w，其中3≤m≤10，2nm≤h_z≤3nm，7nm≤h_w≤20nm。

2.根据权利要求1所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：所述位于准备层和黄光多量子阱层位置的倒六角锥结构在生长平面上分布密度为ρ，至黄光多量子阱层顶时倒六角锥结构与生长平面相交成正六边形，正六边形边长为L，其中1×10⁸cm^-2≤ρ≤1×10¹⁰cm^-2，50nm≤L≤200nm。

3.根据权利要求1、2所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：生长平面为GaN材料体系的(0001)面，倒六角锥结构的六个锥面为GaN材料体系{10-11}面族的六个面；至黄光多量子阱层生长结束时，倒六角锥结构表现为倒六角锥形的空洞，在生长p型层的过程中上述空洞被填平。

4.根据权利要求1所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底中的一种。