[发明专利]一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路有效
申请号: | 201611225144.2 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN108242221B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 饶喜冰;陈恒江;任罗伟;华彬 | 申请(专利权)人: | 无锡中微爱芯电子有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 张宇 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 mcu 中的 功耗 驱动 lcd 偏压 电路 | ||
本发明公开了偏压驱动技术领域的一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路,包括NMOS管N1,所述NMOS管N1的G极设有CP21信号输出端口,所述NMOS管N1的S极接地,所述NMOS管N1的D极并接有PMOS管P3的D极和PMOS管P4的G极,通过第一VLCD23端口和第二VLCD23端口接收时钟信号CP来控制对电容接法的打开/关闭,使电量能够不断重新分配,并稳定于所需的偏压值,内部集成偏压电路无需专用的外置LCD显示驱动电路,设计简单,节约成本,该电路的结构还保证了较小的静态电流和较强的驱动能力,并且效率很高,功耗小。
技术领域
本发明涉及偏压驱动技术领域,具体为一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路。
背景技术
在现今的电子通讯领域,液晶显示LCD被广泛的应用与各种电子产品中。LCD显示驱动电路有内置于MCU中的,亦有独立于MCU的单一的驱动电路,而其偏压电路也集成于MCU中,LCD驱动电路输出的最高电压通过偏置电压产生电路,根据选择的偏置设置,产生LCD交流驱动波形所需要的其它几档偏置电压,如1/2VDD和1/3VDD,提供给后续的COM/SEG波形产生电路,现有的电阻分压结构,选择合适的分压电阻,产生需要的直流分压电平,然而电阻分压结构(如图6)的明显缺陷是功耗大,特别是集成在MCU内部的时候,对整体MCU功耗影响特别大,为此,我提出一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路,以解决上述背景技术中提出的现有电阻分压结构的功耗大的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种集成于MCU中的低功耗高驱动LCD偏压驱动电路,包括NMOS管N1,所述NMOS管N1的G极设有CP21信号输出端口,所述NMOS管N1的S极接地,所述NMOS管N1的D极并接有PMOS管P3的D极和PMOS管P4的G极,所述PMOS管P3的G极设有CP21信号输出端口,所述PMOS管P3的S极并接有PMOS管P4的S极、PMOS管P1的D极和VB端口,所述PMOS管P4的D极串接有第一VLCD3端口,所述PMOS管P1的G极设有CP51B信号输出端口,所述PMOS管P1的S极串接有VDD,所述VB端口并接有电容C1的输入端和PMOS管P5的S极,所述电容C1的输出端串接有VA端口,所述PMOS管P5的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P5的B极并接有PMOS管P6的S极和PMOS管P2的D极,所述PMOS管P5的D极并接有PMOS管P8的S极和第一VLCD2端口,所述PMOS管P2的G极设有CP51N信号输出端口,所述PMOS管P2的S极串接有VDD,所述PMOS管P6的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P6的D极并接有第一VLCD2端口和第二VLCD2端口,所述VA端口并接有PMOS管P7的D极、NMOS管N2的D极和PMOS管P8的D极,所述PMOS管P8的G极设有CP51B信号输出端口,所述PMOS管P7的G极设有CP51信号输出端口,所述PMOS管P7的B极和S极分别串接有第一VLCD23端口和第一VLCD3端口,所述NMOS管N2的G极和S极分别设有CP21信号输出端口和地线,所述第二VLCD2端口分别串接有PMOS管P9的S和B极,所述PMOS管P9的G极设有CP51N端口,所述PMOS管P9的D极并接有PMOS管P10的S极和第二VLCD23端口,所述PMOS管P10的B和D极分别串接有第二VLCD23端口和第二VLCD3端口,所述第二VLCD3端口和第一VLCD3端口串接。
优选的,所述电容C1的容量为1uF。
优选的,所述PMOS管P5、P7、P9和P10均为增强型PMOS管。
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