[发明专利]一种单层微带反射阵列天线及其设计方法有效

专利信息
申请号: 201611225220.X 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106654589B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 刘洋;王宏建;刘广;薛飞;董兴超 申请(专利权)人: 中国科学院国家空间科学中心
主分类号: H01Q13/02 分类号: H01Q13/02;H01Q15/14;H01Q19/10;H01Q21/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 王宇杨;陈琳琳
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 单层 微带 反射 阵列 天线 及其 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种单层微带反射阵列天线,其特征在于,包括馈源和微带反射阵列;所述的微带反射阵列包括若干个移相单元、单层介质基底和金属底板,所述的移相单元包括两个宽度沿周向渐变的圆环贴片,两个圆环贴片以非同心位置嵌套在一起,所有移相单元等间隔周期排列在介质基底上,所述的金属底板设置于单层介质基底的底面;

两个圆环贴片的最小宽度均为0.1mm,且两个圆环贴片之间的最小间距为0.2mm;

所述的两个圆环贴片中的大圆环的外圆直径为D1,大圆环的内圆直径为D2,小圆环的外圆直径为D3,小圆环的内圆直径为D4,则有关系为D2=0.8D1,D3=0.5D1,D4=0.8D3;所述大圆环的外圆直径由移相单元所需的补偿相位确定;D1为1.4mm到13mm,反射相位的范围为560°。

2.根据权利要求1所述的单层微带反射阵列天线,其特征在于,所述单层介质基底的厚度为3mm。

3.根据权利要求1所述的单层微带反射阵列天线,其特征在于,所述移相单元的周期长度为固定值P,并满足P=0.6λ=13.25mm,其中λ为电磁波在13.58GHz时的自由空间波长。

4.根据权利要求1所述的单层微带反射阵列天线,其特征在于,所述的单层介质基底的相对介电常数为2.2,介质损耗角正切值为0.001。

5.根据权利要求1所述的单层微带反射阵列天线,其特征在于,所述的馈源采用角锥喇叭,所述的微带反射阵列的馈电方式为正馈。

6.基于权利要求1-5之一所述的单层微带反射阵列天线的设计方法,其特征在于,包括:

步骤1)选择角锥喇叭作为天线的馈源,将角锥喇叭设置于微带反射阵列的上方,同时设置角锥喇叭的相位中心距离微带反射阵列的距离为焦径F,满足F=k·D,其中D表示微带反射阵列的口径宽度,k的取值范围为0.75-1之间;

步骤2)利用反射阵相位计算公式计算每个移相单元所需的补偿相位;

所述的反射阵相位计算公式表示为:

其中,表示第i个移相单元所需补偿的相位,以选定的xoy平面设定角锥喇叭的相位中心坐标为(xf,yf,zf),设定第i个移相单元的位置坐标为(xi,yi,0),表示反射波的波束指向角度,k0=2π/λ表示真空中电磁波的传播常数,λ为电磁波在所设计的中心频率处的自由空间波长,di表示馈源相位中心与第i个移相单元之间的距离,其计算公式为

步骤3)根据移相单元在其中心频率处的反射相位曲线,获取与其补偿相位相对应的大圆环的外圆直径D1

步骤4)利用步骤3)中获得的大圆环的外圆直径为D1,计算获得大圆环的内圆直径为D2=0.8D1,小圆环的外圆直径为D3=0.5D1,小圆环的内圆直径为D4=0.8D3

步骤5)根据步骤4)中获得的大圆环和小圆环尺寸制作各移相单元,将各移相单元等间隔周期排列在介质基底上,并将金属底板设置于单层介质基底的底面。

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