[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型并且形成在所述半导体衬底的主表面中；

第二半导体区，所述第二半导体区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且形成在所述第一半导体区中；

第一栅电极，所述第一栅电极经由第一栅绝缘膜，形成在所述第一半导体区的第一部分上方，所述第一半导体区的所述第一部分在平面图中更靠近所述第二半导体区的第一侧；

第三半导体区，所述第三半导体区具有所述第二导电类型并且形成在所述第一半导体区的第二部分中，所述第一半导体区的所述第二部分位于比所述第二半导体区更靠近所述主表面；

第四半导体区，所述第四半导体区具有所述第一导电类型并且形成在所述第一半导体区的第三部分中，所述第一半导体区的所述第三部分位于所述第二半导体区和所述第三半导体区之间；以及

第五半导体区，所述第五半导体区具有所述第二导电类型并且形成在所述第一半导体区的第四部分中，所述第一半导体区的所述第四部分在平面图中相对于插入其间的所述第一栅电极位于与所述第二半导体区相反，

其中，所述第一半导体区、所述第二半导体区、所述第三半导体区和所述第四半导体区形成第一光电二极管，

其中，所述第一栅电极和所述第五半导体区形成转移所述第一光电二极管中产生的电荷的第一转移晶体管，

其中，所述第二半导体区中的净杂质浓度低于所述第三半导体区中的净杂质浓度，所述第二半导体区中的净杂质浓度是通过从具有所述第二导电类型的杂质的浓度减去具有所述第一导电类型的杂质的浓度而得到的，所述第三半导体区中的净杂质浓度是通过从所述第二导电类型的杂质的浓度减去所述第一导电类型的杂质的浓度而得到的，以及

其中，所述第四半导体区中的净杂质浓度低于所述第一半导体区中的净杂质浓度，所述第四半导体区中的净杂质浓度是通过从所述第一导电类型的杂质的浓度减去所述第二导电类型的杂质的浓度而得到的，所述第一半导体区中的净杂质浓度是通过从所述第一导电类型的杂质的浓度减去所述第二导电类型的杂质的浓度而得到的，

其中，所述第一栅电极经由所述第一栅绝缘膜，形成在所述第一半导体区的所述第一部分上方，在平面图中，所述第一半导体区的所述第一部分位于在第一方向上比所述第二半导体区更靠近所述第一侧，以及

其中，所述第四半导体区中的净杂质浓度低于所述第一半导体区的第五部分中的净杂质的浓度，所述第四半导体区中的净杂质浓度是通过从所述第一导电类型的杂质的浓度减去所述第二导电类型的杂质的浓度而得到的，所述第一半导体区的所述第五部分中的净杂质的浓度是通过从所述第一导电类型的杂质的浓度减去所述第二导电类型的杂质的浓度而得到的，所述第五部分在垂直于所述主表面的第二方向上面对所述第一栅电极，并且在所述第一方向上面对所述第四半导体区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第三半导体区的厚度小于所述第二半导体区的厚度，以及

其中，所述第四半导体区的厚度小于所述第三半导体区的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第四半导体区包含具有所述第二导电类型的第一杂质，以及

其中，所述第一半导体区以比所述第四半导体区中的所述第一杂质的浓度低的浓度包含所述第一杂质或者不包含所述第一杂质。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述第二半导体区被包括在所述第三半导体区中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第二半导体区面对位于所述第一侧的所述第三半导体区的第六部分。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第一栅电极经由所述第一栅绝缘膜，形成在所述第一半导体区的所述第一部分上方，在平面图中，所述第一半导体区的所述第一部分位于在第三方向上比所述第二半导体区更靠近所述第一侧，以及

其中，所述第二半导体区在所述第三方向上面对所述第三半导体区的中间部分。