[发明专利]在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法在审
| 申请号： | 201611225555.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108239746A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄继勇 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 类金刚石碳层 半导体元件表面 金属过渡层 碳化金属 过渡层 低热膨胀系数 半导体元件 金刚石碳层 膜基结合力 耐磨性 表面形成 高致密性 高硬度 防刮 | ||
1.在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，包括：
在半导体元件的表面形成一金属过渡层；
在所述金属过渡层上形成一碳化金属过渡层；以及
在所述碳化金属过渡层上形成一类金刚石碳层。
2.如权利要求1所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于：所述类金刚石碳层通过磁控溅射形成。
3.如权利要求2所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，形成所述类金刚石碳层包括：连接碳靶的阴极的脉冲电源设定为功率2kW～5kW，电压900V～950V，电流2A-5A。
4.如权利要求3所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于：形成所述类金刚石碳层包括：偏置电源设定为偏置电源设定为脉冲宽度0.8us～1us，脉冲频率300kHz～350kHz，电压25V～30V，电流0.2A～0.5A。
5.如权利要求1所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，形成所述金属过渡层包括：脉冲宽度0.8us～1us，脉冲频率10kHz～50kHz，电压50V～60V，电流0.2A～0.5A。
6.如权利要求1所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于：所述金属过渡层为Ti金属层，所述碳化金属过渡层为TiC层。
7.如权利要求1所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于：在形成所述金属过渡层之前还包括清洗并烘干所述半导体。
8.如权利要求5所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，形成所述金属过渡层包括：向真空腔内通入预定流量的氩气并连接金属靶。
9.如权利要求3所述的在半导体元件表面形成类金刚石碳层的方法，其特征在于，形成所述类金刚石碳层包括：向真空腔内通入预定流量的甲烷气体。
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