[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为柱状结构，所述QLED器件从内到外依次包括内层电极、功能层和外层电极。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述功能层从内到外依次包括：电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述功能层从内到外依次包括：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层。

4.根据权利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO₂、SnO、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。

5.根据权利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT: PSS、氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化铬中的一种或多种。

6.根据权利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为 Poly-THX、TFB、PVK、CBP和TCTA中的一种或多种。

7.根据权利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述的量子点发光层中的量子点为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点；所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或几种，所述三元相量子点为Zn_xCd_1-xS、Cu_xIn_1-xS、Zn_xCd_1-xSe、Zn_xSe_1-xS、Zn_xCd_1-xTe、PbSe_xS_1-x中的一种或几种，所述四元相量子点为Zn_xCd_1-xS/ZnSe、Cu_xIn_1-xS/ZnS、Zn_xCd_1-xSe/ZnS、CuInSeS、Zn_xCd_1-xTe/ZnS、 PbSe_xS_1-x/ZnS中的一种或几种。

8.一种如权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、先在衬底上沉积出柱状的内层电极；

B、然后在内层电极表面沉积功能层；

C、最后在功能层表面沉积外层电极，然后进行封装得到QLED器件。

9.根据权利要求8所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：

A1、在衬底上移植多孔膜；

A2、在所述多孔膜上的孔道内沉积柱状的内层电极；

A3、对所述多孔膜的孔道进行扩孔处理，使所述多孔膜的孔道孔径变大。

10.根据权利要9所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述多孔膜为多孔阳极氧化铝膜。