[发明专利]一种显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201611225812.1 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106783882B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 张春倩;陈彩琴;王超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括显示区域,其特征在于,在栅极信号线位于所述显示区域的起始部分和结束部分,包括:第一金属层,其图案化后形成所述栅极信号线;第二金属层,其图案化后形成与所述栅极信号线构成电容的对应电极线;中间绝缘层,其设置在所述第一金属层与第二金属层之间,构成所述栅极信号线与对应电极线之间的绝缘层;其中,所述对应电极线用以释放所述栅极信号线上的多余电荷进而降低静电击穿显示面板内部器件的风险,对显示面板内部电路进行保护,有效地提高显示面板的良品率和稳定性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称TFT-LCD)已经成为了现代IT、视讯产品中重要的显示装置。
液晶显示器的显示面板的稳定性是考量液晶显示器成品质量的一个重要参数。液晶显示器的显示面板的四周通常设置有用于向显示区域的像素单元提供像素单元开启电压的栅极驱动电路(Gate Driver)和提供图像信息数据信号的源极驱动电路(SourceDriver),以及用于检测液晶的液晶测试电路(cell test pad)等电路模块。这些电路模块分别通过各自的信号线连接至显示面板,向显示面板输入或从显示面板获取电压、电流信号。现有技术中,为了防止电流信号过大而损伤器件,显示面板的部分区域(例如液晶测试电路)的信号输出端部分有防静电设计。但是,在栅极信号线连接进入显示区域内部的部分很少有防止电流信号过大的相关设计(如图1所示)。这会造成显示不稳定等不良现象。尤其是,当由于接触、摩擦等原因使得产生的静电积累到一定程度时,导致电流过大而击穿显示面板内部的器件,进而导致显示面板缺陷,降低显示面板的良品率。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种新的显示面板及其制造方法,旨在提升显示面板的稳定性。
本发明提供的显示面板,包括显示区域,其特征在于,在栅极信号线位于所述显示区域的起始部分和结束部分,包括:
第一金属层,图案化后形成所述栅极信号线;
第二金属层,图案化后形成与所述栅极信号线构成电容的对应电极线;
中间绝缘层,设置在所述第一金属层与第二金属层之间,构成所述栅极信号线与对应电极线之间的绝缘层;
其中,所述对应电极线用以释放所述栅极信号线上的多余电荷。
优选地,上述对应电极线与栅极信号线之间的击穿电压小于所述显示面板中由于所述栅极信号线上的多余电荷而导致内部器件击穿的击穿电压。
根据本发明的第一实施例,本发明的显示面板还可以包括:
平坦有机层,设置在所述第二金属层上;
像素电极层,设置在所述平坦有机层上;
其中,所述像素电极层的一部分通过所述平坦有机层的过孔与所述第二金属层的对应电极线电性连接。
根据本发明的第二实施例,本发明的显示面板还可以包括:
其上设置有所述第一金属层的栅极绝缘层;
其上设置有所述栅极绝缘层的多晶硅层,并且所述多晶硅层经图案化后形成多晶硅电阻;
其中,所述第一金属层的栅极信号线通过所述栅极绝缘层的过孔与所述多晶硅电阻的一端电性连接,所述第二金属层的对应电极线通过所述中间绝缘层和栅极绝缘层的过孔与所述多晶硅电阻的另一端电性连接。
根据本发明的第三实施例,进一步地,上述显示面板还可以包括:
平坦有机层,其沉积在所述第二金属层上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的