[发明专利]带有绝缘埋层的衬底的制备方法

权利要求书

1.一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层；

实施第一次离子注入，向所述衬底内注入改性离子，所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm，以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇；所述绝缘层和所述支撑层的界面位于第一次离子注入的所述改性离子浓度的高斯分布峰的左侧有效范围内或者右侧有效范围内；

实施第二次离子注入，继续向所述绝缘层内注入改性离子，所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同，本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm，以实现纳米团簇分布区域的展宽；第二次离子注入的改性离子浓度的高斯分布峰位于上一次离子注入的高斯分布峰的左侧有效边界内或者右侧有效边界内。

2.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种，或者所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种的同族元素。

3.根据权利要求2所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅，所述改性离子为硅或锗离子。

4.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为绝缘埋层或者位于所述衬底的表面。

5.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述第二次离子注入的能量小于第一次离子注入的能量。

6.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入的剂量范围是3×10¹⁵cm^-2至2×10¹⁶cm^-2。

7.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入的温度高于400摄氏度。

8.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入和第二次离子注入的剂量相同。

9.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，反复实施第二次离子注入的步骤以实现纳米团簇分布区域的更大展宽。

10.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，在第二次离子注入完毕后，进一步包括热处理步骤。