[发明专利]带有载流子俘获中心的衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201611225996.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107146758B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 魏星;常永伟;陈猛;陈国兴;费璐;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 载流子 俘获 中心 衬底 制备 方法 | ||
1.一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层；
在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；
提供一支撑衬底；
以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；
对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；
对衬底实施快速热退火；
对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇；
所述第二次热处理进一步包括：第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底表面形成氧化层，所述氧化层的厚度大于40nm；第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤的温度高于第一退火步骤。
2.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述快速热退火的升温速率大于5℃/秒，升至目标温度并保温5分钟以上。
3.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述第一退火步骤在干氧环境中实施。
4.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述第二退火步骤在无氧环境中实施。
5.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种，或者所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种的同族元素。
6.根据权利要求5所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅，所述改性离子为硅或锗离子。
7.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述第一次热处理的温度范围是300℃至800℃。
8.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，所述支撑衬底的用于键合的表面上具有一氧化层。
9.根据权利要求1所述的带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，其特征在于，进一步包括一减薄步骤，减薄与所述绝缘层键合在一起的半导体衬底，减薄的去除厚度为10nm-150nm，本步骤在第一次和第二次热处理之间实施，并可以在快速热退火之前或之后实施。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
