[发明专利]高储能密度的铌硅基玻璃储能材料及其制备和应用在审
| 申请号： | 201611226047.5 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106698951A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;刘静然;杨科 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C03C10/00 | 分类号： | C03C10/00;C03C4/16;H01G9/025 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高储能 密度 铌硅基 玻璃 材料 及其 制备 应用 | ||
1.高储能密度的铌硅基玻璃储能材料，其特征在于，该储能材料按摩尔比25.6BaO-6.4R(2)O-32Nb2O5-36SiO2进行配料，所述的R为碱金属或碱土金属。
2.根据权利要求1所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料，其特征在于，所述的碱金属Li、Na、K或Na1/2K1/2。
3.根据权利要求1所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料，其特征在于，所述的碱土金属为Ba。
4.如权利要求1所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：
(1)以BaCO3、R2CO3、Nb2O5和SiO2为原料，按摩尔比25.6BaO-6.4R(2)O-32Nb2O5-36SiO2进行配料，其中R为Ba、Li、Na、K或Na1/2K1/2；
(2)将步骤(1)的配料经球磨混料后，烘干，并进行高温熔融，制得高温熔体；
(3)将步骤(2)制得的高温熔体澄清数小时后，浇注至预热的金属模具中，去应力退火，制得透明玻璃；
(4)将步骤(3)制得的玻璃切割成厚度为0.9～1.2mm的玻璃薄片，进行研磨抛光，即得铌硅基玻璃储能材料。
5.根据权利要求4所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中各原料纯度大于99.95wt％。
6.根据权利要求4所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)在混合时，添加酒精润湿原料后，球磨混料20～30h，优选20～24h。
7.根据权利要求4所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中高温熔融的工艺条件为：在1500～1600℃下高温熔融1～3h。
8.根据权利要求4所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中澄清条件为：在1500～1600℃下恒温澄清1～3h。
9.根据权利要求4所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中去应力退火的温度为550～650℃，优选600～650℃，时间为4～7h，优选5h。
10.如权利要求1所述的高储能密度的铌硅基玻璃储能材料在储能电容器中的应用。
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