[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；

S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa，其中，所述等离子体气体源包括氩气和/或氦气，所述等离子体气体源还包括氢气，在所述等离子体气体源中，所述氩气和/或氦气的通入流量为10slm-30slm，所述氢气的通入流量为0.3slm-1.0slm；

S3，采用射频电源对所述反应室施加一射频电场，调节所述射频电源的功率至10kW-20kW，采用电感耦合或直流电弧方式通过等离子体喷枪产生等离子体，在所述等离子体的环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜的厚度为100nm～1μm。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述等离子体气体源的通入流量为15slm-25slm，并将所述反应室的压力调节至200Pa至1500Pa。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述等离子体喷枪的直径为40mm-60mm，所述非晶硅薄膜与所述等离子体喷枪出口的距离为20mm-60mm。

5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述射频电源的功率为12kw～16kw。

6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氢气的通入流量为0.3slm～0.7slm。

7.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜通过衬底进行支撑，在所述非晶硅薄膜退火晶化过程中，所述衬底的温度为300-700℃，所述非晶硅薄膜退火晶化所需的时间为5s-30s。

8.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括由权利要求1至7任一项所述的制备方法制备的多晶硅薄膜。