[发明专利]一种变电场原子层沉积系统的控制方法

权利要求书

1.一种变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，包括：

上电极板和下电极板，所述上电极板和所述下电极板之间产生电场；

直流电源，所述直流电源在所述上电极板和所述下电极板之间施加电场；通过调节所述直流电源，实现所述上电极板和所述下电极板之间电场大小的切换；

控制箱，所述控制箱包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第一电容、第二电容、第一电感、第二电感、第一电阻；

所述继电器有三个端口，其中第一端口和第二端口为常闭端口；通过软件控制，可以使所述第一端口和所述第二端口断开，并使所述第一端口和第三端口相连；

所述直流电源的正极连接所述第一继电器的所述第三端口，所述直流电源的负极连接所述第二继电器的所述第三端口；

所述第一继电器的所述第二端口和所述第二继电器的所述第二端口之间串联所述第一电阻；

所述第一继电器的所述第一端口和所述第三继电器的所述第一端口连接，所述第二继电器的所述第一端口和所述第四继电器的所述第一端口连接；

所述第三继电器的所述第二端口串联所述第一电感，所述第一电感与所述上电极板连接；所述第四继电器的所述第二端口串联所述第二电感，所述第二电感与所述下电极板连接；

所述第三继电器的所述第二端口和所述第四继电器的所述第二端口并联所述第一电容和所述第二电容；

所述第三继电器的所述第二端口与所述第四继电器的所述第三端口连接，所述第三继电器的所述第三端口与所述第四继电器的所述第二端口连接；

所述第一电容、第二电容与所述第一电感、第二电感用于滤波，所述第一电阻用于释放所述上电极板和所述下电极板之间的静电；

所述直流电源与所述控制箱连接，所述控制箱与所述上电极板、所述下电极板连接。

2.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第二端口相连，所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第三端口断开，为释放静电状态。

3.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第二端口断开，所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第三端口相连，为给所述下电极板施加正电，给所述上电极板施加负电的状态。

4.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述第一继电器、所述第二继电器的所述第一端口均对应地与所述第二端口断开，所述第一继电器、所述第二继电器的所述第一端口均对应地与所述第三端口相连；所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第二端口相连，所述第三继电器、所述第四继电器的所述第一端口均对应地与所述第三端口断开；为给所述下电极板施加负电，给所述上电极板施加正电的状态。

5.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述继电器为真空陶瓷继电器，耐压2000V。

6.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述直流电源的电压在-2000V～+2000V可调，电流可耐1A；所述直流电源内部的地与正极、负极均不相连；所述直流电源带有0～5V的控制端口。

7.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述电容的电容量为1μF～1mF。

8.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述电感的电感量为0.1～10000μH。

9.根据权利要求1所述的变电场原子层沉积系统的控制方法，其特征在于，所述电阻的阻值为50～10000Ω，耐功率2W。