[发明专利]一种手机后盖用3D氧化锆陶瓷的加工方法有效

专利信息
申请号: 201611227888.8 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106625035B 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 左洪波;杨鑫宏;张学军;袁志勇;刘贺;安希超 申请(专利权)人: 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 手机 后盖用 氧化锆 陶瓷 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种手机后盖用3D氧化锆陶瓷的加工方法,其特征在于具体包括以下步骤:(1)车削仿形至近净尺寸;(2)双面研磨;(3)磨床开凹槽;(4)精雕内R弧面、凹平面及外R弧面,形成3D雏形;(5)扫光企身、内R弧面与凹平面;(6)铜抛凸平面;(7)扫光外R弧面;(8)抛光凹平面;(9)抛光凸平面和外R弧面;步骤(1)所述的车削仿形过程需将陶瓷块料加工成外廓尺寸距成品有0.5mm的余量;步骤(2)所述的双面研磨过程中研磨分为粗磨和细磨两步进行,粗磨以碳化硼为磨料,细磨用研磨垫,将陶瓷表面加工至Ra3µm;粗/细两步法双面研磨加工,保证双面平行度,去除厚度0.1mm;步骤(4)所述的精雕机加工过程中,加工次序由内及外:用成型磨头对凹槽的内R弧面、凹平面和凸面外R弧面进行磨削,凹平面厚度留有0.05mm的加工余量,精雕机加工过程中分为粗加工与精修;步骤(5)所述的扫光过程依加工部位调整夹具,用钻石粉作为磨料进行扫光;扫光陶瓷侧面与凹面;扫光外R弧面,夹具倾斜的角度与外R弧面切线的角度一致;步骤(6)所述的铜抛凸平面过程,加工至凸平面粗糙度Ra80nm;步骤(8)所述的凹平面抛光,采用精雕机、钻石研磨液抛光至Ra5nm;步骤(9)中抛光机加工过程包括普通抛光凸平面、外R弧面及地毯抛光,最终抛光至Ra2nm。

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