[发明专利]一种改善欧姆接触电阻的方法

权利要求书

1.一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：包括电流退火，其具体步骤为：将GaN HEMT的S/D极接上探针，在自动探针测试台上就是用探针卡上的探针在整个晶圆上实施；如果这个接触是低电阻的良好接触，则移动到晶圆上的下一个器件；如果检测到高电阻的不良接触，则大于该器件额定值10倍、脉冲宽度达毫秒级的电流脉冲通过探针施加到不良接触上，脉冲重复数次直至接触变得良好。

2.根据权利要求1所述的一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：在进行电流退火前，还需进行以下步骤：

第一步，对待加工器件进行清洗；

第二步，对待加工器件进行光刻，形成欧姆接触图形；

第三步，在待加工器件表面进行蒸镀，由上至下蒸镀钛、铝、镍、金四层金属层，其中，钛的厚度20-30nm；铝的厚度120-180nm；镍的厚度30-50nm；金的厚度60-80nm；

第四步，去胶；

第五步，采用RTP退火；

第六步；再次清洗。

3.根据权利要求2所述的一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：以上第二步中，在光刻工艺前在GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成有二维电子气，在所述AlGaN层表面上覆盖掩膜层。

4.根据权利要求3所述的一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：所述掩膜层的材料为光刻胶。

5.根据权利要求4所述的一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域。

6.根据权利要求2所述的一种改善欧姆接触电阻的方法，其特征在于：以上第五步中，进行800℃的高温退火，退火时间30s。