[发明专利]量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法

说明书

本发明提供一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法，先使用强碱性溶液逐层腐蚀剥离TFT(2)的源极(251)与漏极(252)及其上的膜层，再使用强酸性溶液腐蚀剥离层间绝缘层(24)与未被栅极(23)遮盖的栅极绝缘层(22)，最后使用电子扫描显微镜拍摄阵列基板的俯视图像，在该俯视图像上量测栅极(23)的边缘至轻掺杂漏区(212)与重掺杂区(213)交界线的长度即轻掺杂漏区(212)的实际长度，能够有效监控LDD掺杂制程，提升产品的稳定性与可靠性。

技术领域

本发明涉及显示器件检测领域，尤其涉及一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的AMOLED而言，LTPS TFT可以更好的满足驱动电流的要求。

LCD和AMOLED均包括有TFT阵列(Array)基板。LTPS阵列基板具有显示区，显示区内的TFT具有轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)。制作LDD为LTPS阵列基板制程中极为重要的一道掺杂制程，因LDD可明显减小LTPS TFT的漏电流，使TFT的稳定性与可靠性均得到提升。

然而在生产LTPS阵列基板时，现有的产线仅能靠光阻的长度预估LDD的长度，而不能进行实际产品的表征与量测。如图1a、图1b、与图1c所示，LDD是通过向多晶硅(poly-Si)掺杂离子形成的，因离子注入多晶硅后，经后续活化制程，会进行少量的扩散，实际LDD的长度会与预估值有一定的偏差，所以现有的预估LTPS阵列基板内TFT的轻掺杂漏区长度的方法并不能有效监控LDD掺杂制程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法，能够有效监控LDD掺杂制程，提升产品的稳定性与可靠性。

为实现上述目的，本发明提供一种量测阵列基板内轻掺杂漏区长度的方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一阵列基板；

所述阵列基板具有多个呈阵列式排布的像素区域，每一像素区域至少包括衬底基板、覆盖衬底基板的缓冲层、及设置在缓冲层上的TFT；

所述TFT包括设置在缓冲层上的有源层、覆盖有源层的栅极绝缘层、设在栅极绝缘层上的栅极、覆盖栅极与栅极绝缘层的层间绝缘层、以及分别于栅极的两侧设在层间绝缘层上的源极、与漏极；

所述有源层包括沟道区、轻掺杂漏区、及重掺杂区，所述轻掺杂漏区位于沟道区与重掺杂区之间；

步骤S2、将所述阵列基板置于强碱性溶液中加热，对源极与漏极及其上的膜层进行腐蚀剥离；

步骤S3、吹干上述进行腐蚀剥离后的所述阵列基板，将其置于加热板上，逐滴滴定强酸性溶液，对层间绝缘层与未被栅极遮盖的栅极绝缘层进行腐蚀剥离；

步骤S4、将所述阵列基板置于电子扫描显微镜下，使用电子扫描显微镜拍摄所述阵列基板的俯视图像；