[发明专利]一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法

权利要求书

1.一种表面改性的氮化物半导体的制备方法，其特征在于采用射频等离子体增强化学气相沉积方法，在氮化物半导体表面直接生长石墨烯，包括如下步骤：

（1）将氮化物半导体衬底置于距等离子体发生器中心20～60cm位置处，以5～20℃/min的升温速率升温至600～800℃；所述的氮化物半导体衬底材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟及其三元或四元合金；

（2）以氢气为等离子体工作气体对衬底表面处理1～20min；

（3）以甲烷为反应气体,等离子体电源的功率为50～100W，沉积温度为600～800℃的条件下，在氮化物半导体表面直接生长二维或三维垂直结构石墨烯,沉积时间为30～400min；

（4）以2～4℃/min的降温速率降温至室温,得到一种表面改性的氮化物半导体。

2.根据权利要求1所述的一种表面改性的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：在沉积温度为600～700℃, 等离子体电源的功率为50～80W条件下，在氮化物半导体表面生长得到二维石墨烯。

3.根据权利要求1所述的一 种表面改性的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：在沉积温度为大于700～800℃, 等离子体电源的功率为50～100W条件下，在氮化物半导体表面生长得到三维垂直结构石墨烯。

4.按权利要求1制备方法得到的一种表面改性的氮化物半导体，它对水的接触角为60～140°。