[发明专利]芯片失效分析方法和装置

权利要求书

1.一种芯片失效分析方法，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，其特征在于，包括以下步骤：

制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；

将第一连接部与光发射显微镜的底座固定连接；

将所述第二连接部与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；

在所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；

拆除所述光发射显微镜的样品台，将与所述机台连接板固定连接后的所述加温台盘安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；

将待测试芯片置于所述加温台盘上，设定所述加温台盘的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃-160℃；

标记所述待测试芯片上的亮点，所述亮点为待测试芯片的失效位置；

所述制作机台连接板，所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部的步骤包括：

制作机台连接板，所述机台连接板为特氟龙圆板；

在所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣所述加温台盘上的加热模块；

在所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜的底座；

在所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。

2.根据权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述制作机台连接板的步骤包括：

制作厚度大于所述加热模块高度的特氟龙圆板。

3.根据权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，在所述特氟龙圆板上设置三个第二螺孔，所述第二螺孔上宽下窄，所述第二螺孔较宽的一端连接所述加温台盘。

4.根据权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，在所述特氟龙圆板上设置四个不穿透所述特氟龙圆板的第一螺孔，所述第一螺孔呈矩阵排列于所述特氟龙圆板上。

5.一种芯片失效分析装置，用于定位待测试芯片在高温环境下的失效位置，包括光发射显微镜和加温台盘，其特征在于，还包括机台连接板和隔热垫圈；

所述机台连接板预设第一连接部与第二连接部；所述第一连接部用于与所述光发射显微镜的底座固定连接；所述第二连接部用于与加温台盘的底座固定连接，使所述机台连接板位于所述光发射显微镜与所述加温台盘之间；

所述机台连接板与所述加温台盘之间设置隔热垫圈；在与所述机台连接板固定连接后，所述加温台盘用于安装于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上，使所述加温台盘的台面取代所述样品台；所述待测试芯片置于所述加温台盘上，所述加温台盘用于设定所述待测试芯片所需的温度范围，使所述待测试芯片处于测试温度下；其中，在测试温度下，所述待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置；

所述机台连接板为特氟龙圆板，所述特氟龙圆板的边缘开设方形开口，所述方形开口用于卡扣所述加温台盘上的加热模块；

所述特氟龙圆板上设置多个不穿透所述特氟龙圆板的第一连接部，所述第一连接部为第一螺孔，所述第一螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述光发射显微镜的底座；

所述特氟龙圆板上设置多个第二连接部，所述第二连接部为第二螺孔，所述第二螺孔用于连接所述特氟龙圆板与所述加温台盘的底座。

6.根据权利要求5所述的芯片失效分析装置，其特征在于，所述特氟龙圆板的厚度大于所述加热模块的高度。

7.根据权利要求6所述的芯片失效分析装置，其特征在于，所述特氟龙圆板上设置三个第二螺孔，所述第二螺孔上宽下窄，所述第二螺孔较宽的一端连接所述加温台盘。

8.根据权利要求6所述的芯片失效分析装置，其特征在于，所述特氟龙圆板上设置四个不穿透所述特氟龙圆板的第一螺孔，所述第一螺孔呈矩阵排列于所述特氟龙圆板上。