[发明专利]装置封装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备有效
申请号: | 201611233721.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN107665835B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 张健;约书亚·皮恩里斯;罗仕剑 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司;塞米吉尔有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李柱天;王彬 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 封装 设施 方法 利用 deht 处理 设备 | ||
1.一种装置封装设施,其包含:
一安装单元,其在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate)以将该双(2-乙基己基)对苯二酸附接到第一装置及该第二装置;
一处理单元,其热处理附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置,以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸且将该第一装置及该第二装置彼此固定;以及
一转移单元,其将附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。
2.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该第一装置包含一焊球及一基板中的至少一个,且
该第二装置包含该基板。
3.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该安装单元将该第一装置的一突出部分浸没于双(2-乙基己基)对苯二酸中以将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该突出部分,且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该突出部分接触该第二装置。
4.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该安装单元将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该第一装置及该第二装置的至少一个,且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于涂布有该双(2-乙基己基)对苯二酸的部分上彼此接触。
5.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该安装单元提供将由该双(2-乙基己基)对苯二酸形成的一薄膜提供至该第一装置及该第二装置的至少一个,且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于提供了该薄膜的部分上彼此接触。
6.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该安装单元使该第一装置及该第二装置彼此接触,且提供该双(2-乙基己基)对苯二酸至该第一装置与该第二装置之间的一接触部分的一边缘,以允许该双(2-乙基己基)对苯二酸得以吸收于该第一装置与该第二装置之间的一边界上。
7.如权利要求1的装置封装设施,其中,
该处理单元在一第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸,在大于该第一温度的一第二温度下加热该第一装置及该第二装置以熔融安置于该第一装置与该第二装置之间的一接触部分上的一粘结材料,且在小于该第二温度的一第三温度下冷却该第一装置及该第二装置以固化该粘结材料。
8.如权利要求7的装置封装设施,其中,
该第一温度低于该双(2-乙基己基)对苯二酸的一沸点,
该第二温度大于或等于该粘结材料的一熔点,且该第三温度小于该粘结材料的该熔点。
9.如权利要求7的装置封装设施,其中,
该处理单元在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
10.如权利要求9的装置封装设施,其中,
该处理单元在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置历时60秒或更长以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
11.如权利要求7的装置封装设施,其中,
该处理单元在一大气压或小于该大气压的一压力下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
12.如权利要求7的装置封装设施,其中,
该处理单元在该第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置,同时使该第一装置及该第二装置暴露于氮或含氮甲酸蒸气以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于PSK有限公司;塞米吉尔有限公司,未经PSK有限公司;塞米吉尔有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611233721.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型高温盐水陶瓷膜管过滤器
- 下一篇:纯化装置及碳酸锂生产设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造