[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：以二乙基锌、H₂S、H₂O分别作为Zn、S、O的前躯体源，采用原子层沉积方法在加热的衬底上交替沉积ZnO薄膜和ZnS薄膜多次，制备得到Zn(O,S)缓冲层。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述沉积ZnO薄膜是指向原子层沉积设备的反应腔室导入二乙基锌后，用高纯氮气吹扫反应腔室，再导入水蒸气，沉积得到单层ZnO，再用高纯氮气吹扫反应腔室。

3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述二乙基锌、高纯氮气和水蒸气、高纯氮气在反应腔室内的暴露时间依次为0.1～1s、3～10s和0.1～1s、3～10s。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述沉积ZnS薄膜是指向原子层沉积设备的反应腔室导入二乙基锌后，用高纯氮气吹扫反应腔室，再导入H₂S，沉积得到单层ZnS，再用高纯氮气吹扫反应腔室。

5.根据权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述二乙基锌、高纯氮气和H₂S、高纯氮气在反应腔室内的暴露时间依次为0.1～1s、3～10s和0.1～1s、3～10s。

6.根据权利要求1至5任一项所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述交替沉积ZnO薄膜和ZnS薄膜多次是指交替沉积ZnO薄膜和ZnS薄膜各100～500次。

7.根据权利要求1至5任一项所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述反应腔室内的压强为0.3～0.6Pa。

8.根据权利要求1至5任一项所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述衬底的加热温度为100～150℃。

9.根据权利要求1至5任一项所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于：所述二乙基锌、高纯氮气、H₂S和水蒸气的气体流量为100～300sccm。

10.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层，其特征在于：根据权利要求1至9中任一项所述方法制备得到。