[发明专利]高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻方法有效
申请号: | 201611234175.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106488658B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 于中尧 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益;邢黎华 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 基板半 加成 工艺 种子 快速 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】:
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